芯片的失效性分析服务

芯片失效分析
失效分析属于芯片反向工程开发范畴。芯片失效分析主要提供封装去除、层次去除、芯片染色、芯片拍照、大图彩印、电路修改等技术服务项目。公司专门设立有集成电路失效分
析实验室,配备了国外先进的等离子蚀刻机(rie) 、光学显微镜电子显微镜(sem)和聚焦离子束机(fib)等设备,满足各项失效分析服务的要求。
公司拥有一完善的失效分析流程及多种分析手段, 纺位保证工程质量及项目文件的准确无误。
失效分析流程:
1、外观检查,识别crack, burnt mark等问题，拍照。
2、非破坏性分析:主要用xray查看内部结构, csam- 查看是否存在delamination
3、进行电测。
4、进行破坏性分析:即机械机械decap或化学decap等
常用分析手段:
1、x-ray无损侦测，可用于检测
* ic封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性
* pcb制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接
*开路、短路或不正常连接的缺陷
*封装中的锡球完整性
2、sat超声波探伤仪/扫描超声波显微镜
可对ic封装内部结构进行非破坏性检测，有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如:
阮面脱层.
锡球晶元或填胶中的裂缝
封装材料内部的气孔
各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞
3、sem扫描电镜/edx能量弥散x光仪
可用于材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析,测量元器件尺寸
4、三种常用漏电流路径分析手段: emmi微光显微镜/obirch镭射光束诱发阻抗值变化测试/lc液晶热点侦测
emmi微光显微镜用于侦测esd,latch up, i/o leakage, junction defect, hotelectrons , oxide current leakage等所造成的异常。
obirch常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析，线路漏电路径分析利用obirch方法，可以有效地对电路中缺陷定位.如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等;也能
有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充。
lc可侦测因esd,eos应力破坏导致芯片失效的具体位置。
5、probe station探针台/probing test探针测试，可用来直接观测1c内部信号
6、esd/latch-up静电放电/闩锁效用测试
7、fib做电路修改
fib聚焦离子可直接对金属线做切断、连接或跳线处理相对于再次流片验证，先用fibi具来验证线路设计的修改，在时效和成本上具有非常明显的优势.
此外，公司技术团队还积累了诸如原子力显微镜afm ,二次离子质谱sims,飞行时间质谱tof - sims ，透射电镜tem,场发射电镜场发射扫描俄歇探针, x光电子能谱xps ,l--v测
试系统，能量损失x光微区分析系统等多种复杂分析手段。
服务项目:
封装去除
利用先进的开盖设备和丰富的操作经验，能够安全去除各种类型的芯片封装，专业提供芯片开盖与取晶粒服务。
up
芯片开盖
采用先进的刻蚀设备和成熟的刻蚀方法，专业提供去除聚酰亚氨(polyimide)、 去除氧化层 (sio2) 、去除钝化层(si3n4、sio2)、 去除金属层 (ai、 cu、 w)等芯片去层次
技术支持与服务,承诺以完美的刻蚀效果为客户提供专业的芯片处理。
芯片染色
阱区染色:模拟类型芯片进行反向分析往往需要分析p阱和n阱的分布情况，因此需要对芯片进行阱区染色，把p阱和n阱用不同的颜色加以区分。
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rom码点染色: rom存储模式中有大部分是利用离子注入的方式来区分0和1.当读取rom中的0和1代码时，就需要对芯片进行染色以区分0和1。
芯片拍照.
为保证良好的拍照效果，我们采用先进光学显微镜和电子显微镜，能够拍摄90nm工艺以上的各种芯片的图像。同时，我们免费为客户进行图像的三维拼接,能够大带同层图像完整
无缝、异层图像对的效果。
0.35ui艺图像
0.18u工艺图像
异层照片对准，印刷后的大图严格保留着芯片层间对准关系，提图时可以很方便地进行通孔定位。
放大倍率，1um在放大1000倍时， 在照片.上就是严格的1mm,从而保证快捷地测量器件的尺寸。
定位线和微米尺,每幅大图边框上绘制了以微米为单位的坐标系和半透明定位线，以防便用户测量和定位。