回收单晶硅太阳能组件 张掖太阳能组件 振鑫焱发电板回收价格

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苏州振鑫焱光伏科技有限公司
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采购经理
孟先生
所在地
苏州市吴中区国家环保产业园
更新时间
2020-07-15 16:42

详细介绍

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视频作者:苏州振鑫焱光伏科技有限公司



电池片的制作工艺

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:高价回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,el,不良测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,债务偿还,返工,光伏模块回收等。


刻蚀工艺

刻蚀目的

将硅片边缘的带有的磷去除干净,避免 pn 结短路造成并联电阻降低。

刻蚀原理

采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应,采用高频辉光放电反应,使反应气体激活成活性粒子,如原子或各种游离基,这些活性粒子扩散到硅片边缘,在那里与硅进行反应,形成挥发性生成物四氟化硅而被去除。

化学公式: cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2

工艺流程

预抽,主抽,送气,辉光,抽空,清洗,预抽,主抽   ,充气。

影响因素

1. 射频功率

射频功率过高:等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤,导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区(耗尽层)造成的损伤会使得结区复合增加。

射频功率太低:会使等离子体不稳定和分布不均匀,从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足,导致并联电阻下降。

2. 时间

刻蚀时间过长:刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大,时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区,从而导致损伤区域高复合。

刻蚀时间过短:刻蚀不充分,没有把边缘鳞去干净,张掖太阳能组件, pn结依然有可能短路造成并联电阻降低。

4.   压力

压力越大,气体含量越少,参与反应的气体也越多,刻蚀也越充份。




电池片各工序影响因素及异常情况

电池片各工艺流程危害要素及异常现象 

4.naoh产生金字塔式绒面。naoh浓度值越高,金字塔式容积越小,反映前期,金字塔式成核相对密度类似没受naoh浓度值危害,碱水溶液的腐蚀随naoh浓度值转变比较显著,浓度值高的naoh水溶液与硅体现的速率加速,再反映过段时间后,金字塔式容积更大。naoh浓度值超出必须界线时,各向异性系数缩小,绒面会愈来愈差,类似打磨抛光。可控性水平:与ipa相近,线性度不高。 

5.na2sio3si和naoh反映生产制造的na2sio3和添加的na2sio3能具有缓冲剂的功效,使反映不会很强烈,变的轻缓。na2sio3使反映拥有大量的起始点,生长发育出的金字塔式更匀称,更小一点儿na2sio3多的那时候要立即的排出去,na2sio3传热性差,会危害反映,水溶液的黏稠度也提升,非常容易产生水流、花蓝印和表层黑斑。可控性水平:没办法操纵。4酸洗钝化hcl除去硅片表层的金属材料残渣硫酸具备酸和络合剂的双向功效,硫酸盐能与多种多样金属材料正离子产生可溶解与水的络合物。6酸洗钝化hf除去硅片表层空气氧化层,sio26hf=h2[sif6]2h2o。 

基准点1.减薄量界定:硅片制绒前后左右的前后左右净重差。操纵范畴多晶硅125,硅片薄厚在200±25μm左右,减薄量在0.5±0.2g;硅片薄厚在200±25μm左右,减薄量在0.4±0.2g。多晶硅156,首篮减薄量在0.7±0.2g;之后减薄量在0.6±0.2g。2.绒面分辨规范:成核相对密度高,尺寸适度,匀称。

操纵范畴:多晶硅:金字塔式规格3~10um。3.外型无豁口,黑斑,回收抵债太阳能组件,裂痕,激光切割线,刮痕,凹痕,有没有白斑病,赃污。




振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置:天价回收硅片,电池片,初中级光伏电池,银浆布,单晶硅,光伏电池,太阳能电池板,太阳能组件,太阳能光伏板,顾客撤离,退级,库存量,el,欠佳检测,二手,旧工程项目,拆装,道路路灯,拆卸发电厂,拆装,人造板,聚酰薄膜,无界限结晶硅,光伏电池,单晶硅,试验板,负债还款,返修,太阳能发电控制模块收购等。电池片生产流程一、制绒a.目地在硅单晶的表面产生坑凹状表面,降低电池片的反射的自然光,提升二次反射的总面积。一般状况下,用碱解决是以便获得金字塔状磨砂皮;用酸处理是以便获得虫孔状磨砂皮。无论是哪样磨砂皮,都能够提升硅单晶的陷光功效。b.步骤1.基本标准下,回收单晶硅太阳能组件,硅与单纯性的hf、hno3(硅表面会被钝化处理,二氧化硅与hno3不反映)觉得不是反映的。但在二种混和酸的管理体系中,硅则能够与水溶液开展不断的反映。硅的氧化氰化钠/亚硝酸(hno2)将硅氧化成二氧化硅(关键是亚硝酸将硅氧化)si4hno3=sio2 4no2 2h2o(慢反映3si 4hno3=3si


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