回收降级硅片 硅片 振鑫焱免费拆卸回收

电池片的制作工艺

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，el，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，债务偿还，硅片，返工，光伏模块回收等。

扩散工艺

扩散目的

在来料硅片 p 型硅片的基础上扩散一层 n 型磷源，形成 pn 结。

扩散原理

pocl 3 在高温下 （ > 600 ℃ ） 分解生成五氯化磷 （pcl 5 ） 和五氧化二磷 （ p 2 o 5 ）， 其反应式如下 ：

5pocl 3=3pcl 5 +p 2 o 5

生成的 p 2 o 5 在扩散温度下与硅反应 ， 生成二氧化硅 （ sio 2） 和磷原子 ， 其反应式如下 ：

2p 2 o 5+ 5si = 5sio 2  + 4ppocl3

热分解时，如果没有外来的氧（ o 2 ）参与其分解是不充分的，生成的 pcl5是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。但在有外来 o2 存在的情况下， pcl 5 会进一步分解成 p2o 5并放出氯气（ cl 2 ）其反应式如下：  

4pcl 5 +5o 2=2p 2 o 5 +10cl2  

生成的 p 2 o 5 又进一步与硅作用，生成 sio 2和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使 pocl3 充分的分解和避免 pcl 5对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。就这样 pocl 3 分解产生的 p 2 o 5 淀积在硅片表面， p2o 5 与硅反应生成 sio 2 和磷原子，并在硅片表面形成一层磷 - 硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散。

国内电池回收相关政策

振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置：天价回收硅片，电池片，初中级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳电池，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，el，法院拍卖硅片回收，欠佳检测，2手，旧，工程项目，拆装，道路路灯，拆卸发电厂，拆装，人造板，层压板，无界限结晶硅，多晶硅，单晶硅，试验板，负债还款，返修，太阳能发电控制模块收购等。

中国锂电池回收有关现行政策 

在我国驱动力锂电池回收上坡过晚，锂电池回收现行政策和规范尚不足健全，一部分处在征询建议环节。 

2012年7月，国务下发《环保节能与新能源车发展趋势产业发展》中明确提出：①奋力到2015年evphev总计销售量达50万亿元，到2020年总计产供销超500万亿元；②提升动力锂电池梯阶运用和收购管理方法。2014年7月《有关加速新能源车应用推广的实施意见》中强调：制订锂电池回收现行政策、完善锂电池回收管理体系。2015年5月《中国制造业2025》上将“绿色发展理念”做为发展战略指导方针，发展规划中提及：工业生产废弃物回收使用率至2015年规定超过65%，2020年73%，2025年则为79%。 

2016年1月《纯电动车动力电池综合利用技术性现行政策》中明确充电电池生产制造实施编号制、创建可回朔管理体系；确立选用经营者义务拓宽规章制度，充电电池制造商担负锂电池回收的关键义务。2016年12月《新能源车动力电池综合利用管理方法暂行规定（征求意见）》中谈及：为有利于充电电池的再次收购，在充电电池设计阶段要遵照易拆装标准，回收降级硅片，加工过程中务必喷码标识；除此之外管理条例中还涉及充电电池的市场销售、运用、存储及运送中与废旧电池回收的多种多样要求，是现阶段比较详尽的一整套提议。

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影响因素

1 ．频率

射频 pecvd 系统大都采用 50khz~13.56 mhz的工业频段射频电源。较高频率（ >4mhz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。

2 ．射频功率

增加 rf 功率通常会改善 sin 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过1w/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。

3 ．衬底温度

pecvd 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃。这样能保证氮化硅薄膜在hf 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，拆卸硅片回收，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 ．气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 sih4。为了防止富硅膜，选择nh3/sih4=2~20（体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。

5 ．反应气体浓度

sih4 的百分比浓度及 sih4/nh3流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响。

理想 si3n4 的 si/n ＝ 0.75 ，而 pecvd沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 sin 。因此，必须控制气体中的 sih4浓度，不宜过高，并采用较高的 sin 比。除了 si 和 n 外， pecvd 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 sixnyhz或 sinx :h 。

6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。

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