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什么是光刻掩模板
在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并，以便用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构，称为光刻掩模版。
半导体集成电路制作过程通常需要经过多次光刻工艺，在半导体晶体表面的介质层上开凿各种掺杂窗口、电极接触孔或在导电层上刻蚀金属互连图形。光刻工艺需要一整套（几块多至十几块）相互间能套准的、具有特定几何图形的光复印掩蔽模版。
通过金属化过程，制版报价，在硅衬底上布置一层仅数纳米厚的金属层。然后在这层金属上覆上一层光刻胶。这层光阻剂在曝光（一般是紫外线）后可以被特定溶液（显影液）溶解。使特定的光波穿过光掩膜照射在光刻胶上，可以对光刻胶进行选择性照射（曝光）。然后使用前面提到的显影液，溶解掉被照射的区域，这样，光掩模上的图形就呈现在光刻胶上。通常还将通过烘干措施，改善剩余部分光刻胶的一些性质。
光刻板本体的外部边缘增设一保护环，制版价格，保护环具有多种开孔，以便在保护环处的硅片的边缘处刻出晶粒，将光刻板本体处的硅片保护起来，硅片边缘刻出晶粒后，边缘的不合格情况通过目测可以清楚看出，能有效防止混料情况；利用本实用新型刻出的硅片，在高压测试时，能防止漏电打火，安全性能具有较大提高
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