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典型的肖特基整流管的内部电路结构是以n型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的n-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（sio2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。n型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较h-层要高倍。在基片下边形成n+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，n型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，n型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

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