SSR1013L稳定性好 ASEMI SSR1013L

90n10/100n10-asemi高效mosfet管
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90n10/100n10-asemi高效mosfet管

1，mos管种类和结构

mosfet管是fet的一种（另一种是jfet），ssr1013l同步整流管，可以被制构成增强型或耗尽型，ssr1013l整流管，p沟道或n沟道共4种类型，但理论应用的只需增强型的n沟道mos管和增强型的p沟道mos管，所以通常提到nmos，或者pmos指的就是这两种。至于为什么不运用耗尽型的mos管，不建议寻根究底。关于这两种增强型mos管，比较常用的是nmos。缘由是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，普通都用nmos。下面的引见中，也多以nmos为主。mos管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需求的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时分要省事一些，但没有办法避免，后边再细致引见。在mos管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动理性负载，这个二极管很重要。顺便说一句，ssr1013l，体二极管只在单个的mos管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

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同步整流管和整流二极管

同步整流管sr及整流二极管构成的半波整流电路如图1（b）所示。当sr的门极驱动电压ug，与正弦波电源电压仍同步变化时，则负载r上得到的是与二极管整流电路相同的半波正弦波电压波形1fr。

同步整流管的源一漏极之间有寄生的体二极管，还有输出结电容（未画出），驱动信号加在门极和源极（g-s）之间，是一种可控的开关器件。皿关断时，电流仍然可以由体二极管流通。不过m体二极管的正向导通压降和反向恢复时间都比sbd大得多，因此，一旦电流流过sr的体二极管，则整流损耗将明显增加。

由于同步整流是由可控的三端半导体开关器件来实现的，因此必须要有符合一定时序关系的门极驱动信号去控制它，使其像一个二极管一样地导通和关断。驱动方法对银的整体性能影响很大，因此，门极驱动信号往往是设计同步整流电路时必须要解决的首要问题。例如，sr开通过早或关断过晚，都可能造成短路，而开通过晚或关断过早又可能使sr的体二极管导通，使整流损耗和器件应力增大。

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普通整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个pn结，有阳极和阴极两个端子。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，ssr1013l稳定性好，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。

型号：ssr1013l

品牌：asemi

封装：220ab

特性：整流

电性参数：50a 110v

芯片材质：gpp

正向电流(io)：50a

芯片个数：

正向电压(vf)：

芯片尺寸：

浪涌电流ifsm：

漏电流(ir)：

工作温度：-40~+150

恢复时间(trr)：10ns

引线数量：3

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