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大尺寸LCD驱动IC的特点

大尺寸LCD驱动IC的特点

，高电7a64335压工艺。模拟电路中电压越高，驱动能力越强，因此大尺寸LCD驱动IC采用高电压制造工艺，通常SourceDriver IC为10~12V， Gate Driver IC更高，达40V。

第二，运行频率高。液晶显示器的分辨率越来越高，这就意味着扫描列数的增加， Gate Driver IC必须不断提高开关频率，Source Driver IC必须不断提高扫描频率。

第三，封装工艺特殊。LCD驱动IC通常绑定在LCD面板上，因此厚度必须尽可能地薄，通常采用高成本的TCP封装。还有特别追求薄的，采用COG封装，再有就是目前正在兴起的COF封装。

第四，管脚数特别多。Gate Driver IC少256脚， Source Driver IC少384脚。

第五，单一型号出货量特别大。驱动IC 单月平均出货量高达1.5亿片，而其中平均每个型号的出货量达差不多在300万片左右。LCD的构造是在两片平行的玻璃当中放置液态的晶体，两片玻璃中间有许多垂直和水平的细小电线，透过通电与否来控制杆状水晶分子改变方向，将光线折射出来产生画面。

igbt驱动电路的简介

IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Draininjector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，线性led驱动ic，从P+基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

要驱动大容量MOSFET需要提供短时瞬间大电流，led驱动ic市场，并在沟道开通后维持合适的栅源电压(10～15V)，如果用普通控制芯片或单片机直接驱动，输出电流不够，输出电压也没有这么高，所以需要驱动器抄。有些控制芯片如UCC28C43自身集成了驱动器，可以直接驱动小容量MOSFET。

MOSFET不需要电流zhidao，是因为沟道开通后，不需要像BJT那样必须维持一个基极电流Ib，博罗led驱动ic，但在沟道从关闭到到开通前，必须用瞬态大电流给MOSFET栅极电容充电。

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