CGH40025F

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产品种类: 射频结栅场效应晶体管(rf jfet)晶体管 

技术: gan 

增益: 15 db 

晶体管极性: n-channel 

vds-漏源极击穿电压: 120 v 

vgs-栅源极击穿电压 : - 10 v to 2 v 

id-连续漏极电流: 3 a 

输出功率: 30 w 

工作温度: - 40 c to + 150 c 

安装风格: screw mount 

封装 / 箱体: 440166 

封装: tray 

配置: single  

高度: 3.43 mm  

长度: 14.09 mm  

工作频率: 2 ghz to 6 ghz  

产品: gan hemt  

宽度: 4.19 mm   

产品类型: rf jfet transistors  

vgs th-栅源极阈值电压: - 3 v

代理cree 系列系原装进口现货，量大价优！

cree series are imported, large and excellent price!

cgh40025f

features

1)up to 6 ghzoperation

2) 15 db smallsignal gain at 2.0 ghz

3)13 db small signalgain at 4.0 ghz

4) 30 w typicalpsat

5)62 % efficiency atpsat

6)28 v operation

applications

1)2-way privateradio

2)broadbandamplifiers

3)cellularinfrastructure

4) testinstrumentation

5) class a, ab,linear amplifiers suitable for ofdm, w-cdma, edge, cdmawaveforms

详情请咨询：for details, please contact me:

克里(cree)在电源转换和无线通信设备市场中处于全球领导地位，（纳入标准普尔400指数，纳斯达克上市），射频（rf）应用产品的全球制造商和销售商。来自wolfspeed专有技术 -cree，inc.旗下 wolfspeed部门，rf组部件的核心都是ganhemt，其性能远远领先任何其他技术，具有卓越绝伦的带宽，效率和工作频率。首创base sic的ganhemt，为无线和广播大功率应用提供了增强的信号增益以及4倍的功率密度（watt/mm）。