tvs二极管生产 tvs二极管 苏州威富瑞二极管

tvs管与esd保护二极管的区别 tvs瞬态电压抑制  

这里不论tv是如何产生的，比如直接或者间接的雷击，静电放电，大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高. esd静电放电保护  

这里的es主要是三种模型所表述.  

其中主要应用是hbm 和 mm，简单说，就是人或者设备对器件放电(静电)，tvs二极管厂家，但是器件不能损坏. 典型的hbm class 1c模型规定一个充电1000v-2000v的100pf的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电.  

mm模型要比人体模型能量大一些.电容是200pf，电压大概在200-400之间，不过没有串联电阻了.  

典型的人体模型放电，峰值电流小于0.75a，时间150ns  典型的机器模型放电，峰值电流小于8a，时间5ns

tvs二极管应用于直晶体管和流稳压电源保护

　tvs二极管应用于直流稳压电源保护

　　图3是一个直流稳压电压，在其输出端加上tvs二极管，可以保护使用该电源的仪器设备，同时还可以吸收电路中晶体管的集电极到发射极间的峰值电压，从而保护晶体管。建议在每个稳压源的输出端增加一个tvs二极管，tvs二极管生产，这样可以大幅度地提高整机的可靠性。

　　tvs二极管在电路设计应用top7 ——电路图天天读（133）图3tvs二极管应用于直流稳压电源保护　　tvs二极管应用于晶体管电路保护

　　各种瞬变电压会使晶体管的eb结或ce结击穿而损坏，当晶体管集电极有感性（继电器线圈、变压器、电动机）负载时，通常会产生高压反电势，可能损坏晶体管。在实际应用中，建议采用tvs二极管作为保护器件。图4所示为tvs二极管应用于晶体管电路的保护实例。

tvs器件的电特性

1、单向tvs的v-i特性，单向tvs的正向特性与普通稳压二极管相同，反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿，tvs二极管，为典型的pn结雪崩器件。从击穿点到vc值所对应的曲线段表明，当有瞬时过压脉冲时，器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值，并保持在这一水平上。2.双向tvs的v-i特性，双向tvs的v-i特性曲线如同两只单向tvs“背靠背”组合，其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性，tvs二极管生产商，正反两面击穿电压的对称关系为：0.9≤v(br)(正)/v（br）(反) ≤1.1，一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压vc就会立刻被抑制掉，双向tvs在交流回路应用十分方便。

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