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雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管,其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。其基本结构常常采用容易产生雪崩倍增效应的Read二极管结构(即N+PIP+型结构,P+一面接收光),工作时加较大的反向偏压,使得其达到雪崩倍增状态;它的光吸收区与倍增区基本一致(是存在有高电场的P区和I区)。
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