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单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体伸长方法的不同，分为直拉法（cz）、区熔法（fz）和外延法。直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材，外延法伸长单晶硅薄膜。直拉法伸长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。

由于成本和性能的原因，直拉法（cz）单晶硅材料应用zui广。在ic工业中所用的材料主要是cz抛光片和外延片。存储器电路通常使用cz抛光片，因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在ic制造中有更好的适用性并具有消除latch－up的能力。

硅片直径越大，技术要求越高，越有市场前景，价值也就越高。