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式中c为光速。本征光电导材料的长波限受禁带宽度的限制.凡禁带宽度或杂质离化能合适的半导体材料都具有光电效应。但是制造实用性器件还要考虑性能、工艺、价格等因素。常用的光电导探测器材料在射线和可见光波段有：cds、cdse、cdte、si、ge等;在近红外波段有：pbs、pbse、insb、hg0.75cd0.25te等;在长于8微米波段有:hg1-xcdxte、pbxsn1-x、te、si掺杂、ge掺杂等；cds、cdse、pbs等材料可以由多晶薄膜形式制成光电导探测器。

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可见光波段的光电导探测器

cds、cdse、cdte的响应波段都在可见光或近红外区域，通常称为光敏电阻。它们具有很宽的禁带宽度（远大于1电子伏）,可以在室温下工作，因此器件结构比较简单，一般采用半密封式的胶木外壳，前面加一透光窗口，后面引出两根管脚作为电极。高温、高湿环境应用的光电导探测器可采用金属全密封型结构，玻璃窗口与可伐金属外壳熔封。