离子镀膜机 至成镀膜机生产厂家 PVD中频离子镀膜机
- 供应商
- 东莞市至成真空科技有限公司
- 认证
- 手机号
- 13926868291
- 经理
- 肖先生
- 所在地
- 东莞市万江区流涌尾工业区汾溪路450号
- 更新时间
- 2019-10-06 04:08
影响离子镀膜层质量的工艺参数
①基片偏压.
离子镀膜基片施加负偏压后;各种离子和高能中性粒子流以较高的能量轰击基片表面.基片负偏压的提高,会使基片表面获得更高的能量,可能形成伪扩散层,提高膜层与基体的附着力,还可以改变膜层的组织、结构和性能,如细化晶粒,图2表明,随着基片负偏压的提高,膜层组织变细,但是,基片负偏压的提高也会产生一些不利的影响,如反溅射作用的增加,使膜层表面受到刻蚀,使表面光洁程度降低,图3表明了空心阴极离子镀铬时,基片负偏压对铬膜表面光泽度的影响,基片负偏压的提高还会使沉积速率降低,使基片温度升高,图4表明了电弧离子镀tin膜基片负偏压对沉积速率的影响,因此,应根据不同的离子镀方法、不同的膜层及使用要求选择适当的基片负偏压。
②镀膜真空度和反应气体分压.
离子镀膜真空度对膜层组织、性能的影响与真空蒸镀时的影响规律相似,但反应气体分压对反应离子镀镀制化合物膜的成分、结构和性能有直接的影响,图5是hcd离子镀tin膜的硬度与氮气分压的关系,因此反应气体的分压应根据离子镀方法,化合物膜层的成分、性质、使用要求以及设备来选择
③基片温度.
离子镀膜基片温度的高低直接影响着膜层的组织、结构和性能。一般情况下,温度的升高有利于提高膜层与基片的附着力,有利于改善膜层的组织与性能。但是,温度过高,则会使沉积速率降低,有时还会使膜层晶粒粗大,性能变坏;图6中hcd离子镀铬膜显微硬度受基片温度影响的规律。另外,基片温度的选择还要受基片材料性质的限制,如钢材的回火温度等
④蒸发源功率.
蒸发源功率对蒸发速率有直接的影响,进而影响沉积速率,影响膜层的组织、性能,对反应沉积化合膜时蒸发源功率也将影响膜层的成分。
为了获得所需性能的膜层,应综合分析、考虑各种因素,迭择镀膜方法和确定合理的镀膜工艺参数。
很多人对光学镀膜机电子枪打火问题很疑惑,不知道是什么原因产生的,也不知道该如何减少这种情况的发生,今天至成真空小编为大家讲解一下光学镀膜机电子枪打火问题是怎么引起的?
电子枪在蒸镀时,由于电子束中的电子与气体分子和蒸发材料的蒸汽发生碰撞产生的离子轰击带负电高压电极及其引线,即产生打火。另外,若这些带负高压电的部分有尘粒等杂物,会使该处电场集中了容易打火。故电子束蒸镀设备的高压电源都附有高压自动灭弧复位装置,在打火非常严重时才会自动切断高压,然后又自动恢复,切断与恢复的时间愈短,愈不会影响蒸镀工艺。
那么,在安装和使用的过程中,该如何才能减少打火次数。首先、高压引线应尽量短,并用接地良好的不锈钢板屏蔽住,不要追求美观把引线弯来弯去。然后,枪头金属件和引线定期用细砂纸打光,然后清洗干净。上螺钉的螺孔定期用丝锥攻螺孔,以便螺钉上下方便并保证压的很紧。接着,所有陶瓷件污染后应予更换。电子枪体应可靠接地。对放气量大的材料应充分预热以彻底除气。蒸镀时功率要合适,不可过高造成材料飞溅。高压馈线与高压绝缘子金属件的接线一定要可靠并经常检查,以免增大接触电阻造成发热而烧坏。蒸发档板应高于蒸发源70mm.1
中频磁控+多弧离子溅射镀膜机具有:结构合理、膜层均匀、成膜质量好、抽速大、工作周期短、生产效率高、操作方便、能耗低性能稳定等优点。广泛应用于切削刀具如齿轮滚刀,插刀,铣刀,钻头等表面沉积超硬涂层,也可用于钟表,眼镜架,手机壳、锁具,洁具等各类小五金表面沉积装饰涂层,本设备可实现一机多用沉积多种膜层,膜层细腻,有纯钛(ti)氮化钛(tin)氧化钛(tio)纯锆(zr)氮化锆(zrn)碳化钛(tic)纯铬(cr)氮化铬(crn)碳氮化钛(ticn)氮化铝钛(tialn),pvd镀膜膜层目前常见的颜色主要有:深金黄色,浅金黄色,咖啡色,古铜色,灰色,黑色,灰黑色,七彩色,蓝色等。亮度好,饱满度好
至成真空科技可以根据用户要求设计各种规格型号的真空镀膜机。真空机组及电控系统也可根据用户要求进行设计配置。