科启达公司回收单片机 上海回收晶振光耦

科启达公司回收单片机 上海回收晶振光耦

动态特性又称开关特性，igbt的开关特性分为两大部分：一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间；另一个是开关过程中的损耗。

igbt 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。igbt 处于导通态时，由于它的pnp 晶体管为宽基区晶体管，所以其b值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过mosfet 的电流成为igbt 总电流的主要部分。此时，通态电压uds(on)可用下式表示：：

uds(on) = uj1 + udr + idroh

式中uj1 —— ji 结的正向电压，其值为0.7 ～1v ；udr ——扩展电阻rdr 上的压降；roh——沟道电阻。

通态电流ids 可用下式表示：

ids=(1+bpnp)imos

式中imos ——流过mosfet 的电流。

由于n+ 区存在电导调制效应，所以igbt 的通态压降小，耐压1000v的igbt 通态压降为2 ～ 3v 。igbt处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。

igbt 在开通过程中，大部分时间是作为mosfet 来运行的，只是在漏源电压uds 下降过程后期， pnp晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间，tri为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和，漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2组成。