中山阜沙镇回收MOS管收购闪存找铭盛

首先考察一个更简单的器件——mos电容——能更好的理解mos管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsicsilicon（外在硅），他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是gate，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gatedielectric（栅介质）。图示中的器件有一个轻掺杂p型硅做成的backgate。这个mos电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。mos电容的gate电位是0v。金属gate和半导体backgate在workfunction上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，p型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。

当mos电容的gate相对于backgate正偏置时发生的情况。穿过gatedielectric的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着gate电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像n型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。随着gate电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。channel形成时的电压被称为阈值电压vt。当gate和backgate之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。

mos电容：（a）未偏置（vbg=0v），（b）反转（vbg=3v），（c）积累（vbg=-3v）。

正是当mos电容的gate相对于backgate是负电压时的情况。电场反转，往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了，这个器件被认为是处于accumulation状态了。