6SE7032-­6EG60过载后过流维修

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常见故障现象有：1.电机上电、机械振荡(加／减速时) 2.电机上电、机械运动异常快速(飞车) 3.主轴不能定向移动或定向移动不 到位4.出现nc错误报警 5.伺服系统报警 6.编码器报警 7.电机卡死等；

6se7036-0ek60维修，故障分析：三相交流电通过三相全压整流，整出直流。这是不纯净的直流，后面要加大容量电解滤波，这个电解电容容量非常大！对初上电相当于短路！为了解决这个问题，经过不同功率变频器的计算，在三相整流桥与滤波大电解电容之间串了一个充电电阻。这个充电电阻与接触器的常开主触点并联。当三相交流电上电时，由整流桥整流出来的脉动直流电压通过充电电阻给电解电容平滑的充电，给变频器后级开关电源供电。当充电至80%时，接触器得电吸合！这时接触器把充电电阻短路掉！完整的纯净直流电就送给了变频器整机！

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 ;功率场效应晶体管（power mosfet;） ;它的 3;个极分别是源极s;漏񧠝和栅极g;

其工作特点是，gs;间的控制是电压ugs;。改变ugs;的大小，主电路的漏极电流id;也跟着改变。由于gs;间的输入阻抗很大，故控制电流几乎为0，所需驱动功率很小。和gtr;相比，其驱动系统比较简单，工作频率也比较高。此外，mosfet;还具有热稳定性好安全工作区大;等优点。在异步电机变频调速系统中，转矩 ;的控制较复杂。

但是，功率场效应晶体管在提高击穿电压和增大电流方面进展较慢，故在变频器中的应用尚不能居主导地位。

2 ;绝缘栅双极晶体管（igbt;）igbt;是mosfet;和gtr;相结合的产物，是栅极为绝缘栅结构（mos;结构）的晶体管，它的三个极分别是集电񧠜发射񧠞和栅极g;。

工作特点是，控制部分与场效应晶体管相同，控制为电压uge;输入阻抗很高，栅极电流i;≈0，故驱动功率很小。而起主电路部分则与gtr;相同，工作电流为集电极电流i;。

至今，igbt;的击穿电压也已做到 1 2 0 0v;，集电极大饱和电流已超过 1 5 00a;，由igbt;作为逆变器件的变频器容量已达到 2 5 0kva;以上。

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