光电耦合器，PC357N1J000F

光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为oc）亦称光电隔离器，简称光耦。是一种把发光元件和光敏元件封装在同一壳体内，中间通过电→光→电的转换来传输电信号的半导体光电子器件。用于传递模拟信号的光耦合器的发光器件为二极管、光接收器为光敏三极管。当有电流通过发光二极管时，便形成一个光源，该光源照射到光敏三极管表面上，使光敏三极管产生集电极电流，该电流的大小与光照的强弱，亦即流过二极管的正向电流的大小成正比。由于光耦合器的输入端和输出端之间通过光信号来传输，因而两部分之间在电气上完全隔离，没有电信号的反馈和干扰，故性能稳定，抗干扰能力强。发光管和光敏管之间的耦合电容小（2pf左右）、耐压高（2.5kv左右），故共模抑制比很高。输入和输出间的电隔离度取决于两部分供电电源间的绝缘电阻。此外，因其输入电阻小（约10Ω），对高内阻源的噪声相当于被短接。因此，由光耦合器构成的模拟信号隔离电路具有优良的电气性能。

光耦的技术参数：

　　输入特性

　　光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有：

　　1.正向工作电压vf（forward voltage）

　　vf是指在给定的工作电流下，led本身的压降。常见的小功率led通常以if=20ma来测试正向工作电压，当然不同的led，测试条件和测试结果也会不一样。

　　2.反向电压vr（reverse voltage ）

　　是指led所能承受的大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏led.在使用交流脉冲驱动led时，要特别注意不要超过反向电压。

　　3.反向电流ir（reverse current）

　　通常指在大反向电压情况下，流过led的反向电流。

　　4.允许功耗pd（maximum power dissipation）

　　led所能承受的大功耗值。超过此功耗，可能会损坏led.

　　5.中心波长λp（peak wave length）

　　是指led所发出光的中心波长值。波长直接决定光的颜色，对于双色或多色led，会有几个不同的中心波长值。

　　6.正向工作电流if（forward current）

　　if是指led正常发光时所流过的正向电流值。不同的led，其允许流过的大电流也会不一样。

　　7.正向脉冲工作电流ifp（peak forward current）

　　ifp是指流过led的正向脉冲电流值。为保证寿命，通常会采用脉冲形式来驱动led，通常led规格书中给中的ifp是以0.1ms脉冲宽度，占空比为1/10的脉冲电流来计算的。

  输出特性

　　光耦合器的输出特性实际也就是其内部光敏三极管的特性，与普通的三极管类似。常见的参数有：

　　1.集电极电流ic（collector current）

　　光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其大值。

　　2.集电极-发射极电压vceo（c-e voltage）

　　集电极-发射极所能承受的电压。

　　3.发射极-集电极电压veco（e-c voltage）

　　发射极-集电极所能承受的电压

　　4.反向截止电流iceo

　　5.c-e饱和电压vce（sat）（c-e saturation voltage）

　　隔离特性

　　1.入出间隔离电压vio（isolationvoltage）

　　光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。

　　2.入出间隔离电容cio（isolationcapacitance）

　　光耦合器件输入端和输出端之间的电容值

　　3.入出间隔离电阻rio：（isolationresistance）

　　半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值

　　传输特性：

　　1.电流传输比ctr（currenttransfer radio）

　　2.上升时间tr（rise time）& 下降时间tf（fall time）

　　其它参数诸如工作温度、耗散功率等不再一一敷述。

　　光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降vf、正向电流if、电流传输比ctr、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压v（br）ceo、集电极-发射极饱和压降vce（sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。

　　电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流ic与直流输入电流if的百分比。

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