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ddr2与ddr的区别

与ddr相比，ddr2主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于ddr内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个dram核心来实现的。作为对比，在每个设备上ddr内存只能够使用一个dram核心。技术上讲，ddr2内存上仍然只有一个dram核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。

与双倍速运行的数据缓冲相结合，ddr2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统ddr内存可以处理的2bit数据高了一倍。ddr2内存另一个改进之处在于，它采用fbga封装方式替代了传统的tsop方式。

然而，尽管ddr2内存采用的dram核心速度和ddr的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配ddr2内存，因为ddr2的物理规格和ddr是不兼容的。首先是接口不一样，ddr2的针脚数量为240针，而ddr内存为184针；其次，ddr2内存的vdimm电压为1.8v，也和ddr内存的2.5v不同。

ddr2（double data rate 2）sdram是由jedec（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代ddr内存技术标准大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但ddr2内存却拥有两倍于上一代ddr内存预读取能力（即4bit数据预读取）。换句话说，ddr2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

此外，由于ddr2标准规定所有ddr2内存均采用fbga封装形式，而不同于目前广泛应用的tsop/tsop-ii封装形式，fbga封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为ddr2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起ddr的发展历程，从第一代应用到个人电脑的ddr200经过ddr266、ddr333到今天的双通道ddr400技术，第一代ddr的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着intel新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的ddr2内存将是大势所趋。