BBO电光调Q开关

相对于传统的 kd*p 电光调制晶体，bbo(偏硼酸钡β-bab2o4)晶体具有极低的吸收系 数，弱的压电振铃效应，更宽的光谱透过范围（210-2000nm）等优点。相对于rtp电光 调制晶体，bbo 晶体具有更高的消光比、抗损伤阈值和温度时应系，有利于提高激光输出功率稳定性。因此，由bbo 晶体制成的电光q开关常被应用于高重复频率（高达800khz）， 高功率（高达900w）的电光调q 激光器，腔倒空调q 激光器和全固态皮秒、飞秒再生放大系统中。

大截面 12 x 12 mm²

小截面2 x 2mm²

大长度 25 + 25 mm

常规长度20mm

平面度λ/10 @ 633nm

透过畸变λ/8 @ 633nm

光学平行< 20 arc sec.

侧垂< 5 arc sec.

光洁度10-5 膜后20-10

端面镀膜210-2000nm可订制

抗光伤阈值600mw/cm2@10ns，10hz，1064nm