led的特性1．极限参数的意义（1）允许功耗pm:允许加于led两端正向直流电压与流过它的电流之积的大值。超过此值，led发热、损坏。（2）大正向直流电流ifm：允许加的大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。??（3）大反向电压vrm：所允许加的大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。??（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。现在发光二极管作为光源的强光手电筒已经不断的走进我们的生活。随着发展的led二极管手电的出现到现在的单灯大功率1w、3w的出现，不断的丰富大家的手电选择。尤其是航空铝合金的金属手电的出现让很多买家心动。
（一）led发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，手电筒加工厂家，如gaas（砷化镓）、gap（磷化镓）、gaasp（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是pn结。因此它具有一般p-n结的i-n特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，手电筒加工价格，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，广州手电筒加工，电子由n区注入p区，空穴由p区注入n区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。假设发光是在p区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近pn结面数μm以内产生。理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度eg有关，即????λ≈1240/eg（mm）式中eg的单位为电子伏特（ev）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的eg应在3.26～1.63ev之间。比红光波长长的光为红外光。已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。
第四代手电筒：特征：内置开放式可编程智能控制芯片，可通过专用软件自定义发光模式——智能手电 全新一代手电——纳丽德mytorch智能手电（smarttorch），将传统手电调光技术与it技术相结合，内置开放式可编程智能控制芯片，用户可通过专用软件定制个性化的手电发光模式的新一代手电筒的总称。
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