氮化铝陶瓷基板养护率陶瓷基板陶瓷金属化

 led封装方式是以芯片借由打线、共晶或覆晶的封装技术与其散热基板连结而成led芯片，再将芯片固定于系统板上连结成灯源模组。

       目前，led封装方法大致可区分为透镜式以及反射杯式，其中透镜的成型可以是模塑成型透镜黏合成型；而反射杯式芯片则多由混胶、点胶、封装成型；近年来磊晶、固晶及封装设计逐渐成熟，led的芯片尺寸与结构逐年微小化，高功率单颗芯片功率达1~3w，甚至是3w以上，当led功率不断提升，对于led芯片载版及系统电路版的散热及耐热要求，便日益严苛。

        鉴于绝缘、耐压、散热与耐热等综合考量，氮化铝陶瓷基板成为以芯片次黏着技术的重要材料之一。其技术可分为厚膜工艺、低温共烧工艺与薄膜工艺等方式制成。然而，厚膜工艺与低温共烧工艺，是利用网印技术与高温工艺烧结，易产生线路粗糙、与收缩比例问题，若针对线路越来越精细的高功率led产品，或是要求对位准确的共晶或覆晶工艺生产的led产品而言，厚膜与低温共烧的氮化铝陶瓷基板，己逐渐不敷使用。

       为此，高散热系数薄膜陶瓷散热基板，运用溅镀、电／化学沉积，以及黄光微影工艺而成，具备金属线路、材料系统稳定等特性，适用于高功率、小尺寸、高亮度的led的发展趋势，更是解决了共晶／覆晶封装工艺对陶瓷基板金属线路解析度与**度的严苛要求。当led芯片以氮化铝陶瓷作为载板时，此led模组的散热瓶颈则转至系统电路板，其将热能由led芯片传至散热鰭片及大气中，随着led芯片功能的逐渐提升，材料亦逐渐由fr-4转变至金属芯印刷电路基板，但随着高功率led的需求进展，mcpcb材质的散热系数(2~4w/mk)无法用于更高功率的产品，为此，氮化铝陶瓷电路板的需求便逐渐普及，为确保led产品在高功率运作下的材料稳定性与光衰稳定性，以氮化铝陶瓷作为散热及金属佈线基板的趋势已日渐明朗。氮化铝陶瓷材料目前成本高于mcpcb，因此，如何利用氮化铝陶瓷高散热系数特性下，节省材料使用面积以降低生产成本，成为陶瓷led发展的重要指标之一。因此，近年来，以氮化铝陶瓷材料cob设计整合多晶封装与系统线路亦逐渐受到各封装与系统厂商的重视。