在芯片制造的几百道工序里，光刻是决定芯片制程精度的核心工艺，而深紫外光刻（Deep Ultraviolet Lithography，简称DUV） 是当前应用Zui广的主流光刻技术，它依靠深紫外波段的短波长光源完成芯片电路图案转移，不仅是摩尔定律持续推进的关键支撑，至今仍是全球成熟制程芯片量产的juedui主力。
光刻的本质是把设计好的芯片电路图案，通过光源曝光转移到硅片的光刻胶上，而光源波长直接决定了光刻能实现的Zui小线宽——波长越短，就能刻出更小尺寸的电路，提升芯片集成度。
深紫外光刻就是使用波长在193nm-248nm区间的深紫外光源的光刻技术，相比此前的紫外光刻（波长365nm以上），更短的波长让它能实现更小的制程节点：通过浸润式DUV搭配多重曝光技术，它甚至可以覆盖从微米级到7nm成熟制程，覆盖了绝大多数芯片产品的量产需求。
深紫外光刻的发展，本身就是半导体工艺突破极限的过程：
248nm KrF（氟化氪）准分子激光DUV：是Zui早普及的深紫外光刻技术，能实现0.25μm-0.13μm（250nm-130nm）制程，支撑了早期大规模、超大规模集成电路的量产，至今仍在功率半导体、模拟芯片等成熟制程领域使用。
193nm ArF（氟化氩）干式DUV：把波长进一步缩短到193nm，制程能力推进到130nm-65nm，成为了那个时代高端制程的主力。
193nm ArF浸润式DUV：通过把光刻镜头和硅片之间的介质换成水，利用水的折射率进一步缩小等效波长，制程能力直接突破到65nm-7nm，配合多重曝光技术，甚至能做到5nm试产，是目前产能Zui大、应用Zui广的DUV技术。
和当下热门的极紫外光刻（EUV）相比，DUV的核心优势非常突出：
产能稳定成熟，良率更高：DUV技术经过几十年迭代，工艺已经完全成熟，量产良率稳定，设备维护成本远低于EUV，对于14nm及以上的成熟制程来说，性价比优势非常明显。
覆盖场景广泛：当前绝大多数芯片产品，包括汽车电子、工业控制、电源管理芯片、存储芯片、成熟制程物联网芯片，都可以用DUV满足需求，不需要EUV的极高成本。
设备与供应链更充足：全球多家厂商都能提供DUV设备，供应链稳定性更强，在当前芯片产能扩张中，DUV产能依然是成熟制程扩产的核心。
哪怕在EUV已经量产的今天，全球市场超过80%的芯片依然依靠DUV技术生产——比如国内成熟制程产能扩产，核心就是DUV光刻设备的布局，它支撑着绝大多数非高端消费芯片的量产供应，是整个半导体产业的中坚力量。
极紫外光刻（EUV）虽然是当前高端先进制程的主流，但DUV并没有被淘汰：一方面，EUV设备成本极高（单台超过1.5亿美元），只有高端7nm以下制程才具备经济性，对于成本敏感的成熟制程芯片，DUV依然是Zui优选择；另一方面，多重曝光DUV甚至可以覆盖7nm制程，性能和EUV 7nm差距不大，成本低很多，很多厂商依然会选择DUV量产7nm芯片。
对于全球半导体产业来说，深紫外光刻DUV不仅推动了摩尔定律半个世纪的进步，至今依然是支撑全球芯片供应的核心力量，是先进制程发展背后buketidai的中坚技术。
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