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锗粉（CAS：7440-56-4）产品基础信息
金属锗粉、单质锗、高纯锗粉
Germanium powder、Metallic germanium、Elemental germanium
CAS号：7440-56-4
分子式：Ge
分子量：72.64
EINECS编号：231-164-3
质量：73.9212
PSA：0.00
LogP：无
主要成分：锗粉是单质锗制备的半导体金属粉体材料，属于类金属功能性无机原料，具备典型的金刚石型晶体结构，兼具金属与非金属双重特性。拥有优异的半导体性能、红外透光性、压电性能及高折射率，化学性质相对稳定，可发生氧化、卤化、酸溶等反应，是半导体材料、红外光学器件、特种合金、电子元器件、精细无机合成、高精科研实训领域的核心功能性粉体原料。
外观形态：常温常压下为银灰色至深灰色超细金属粉末，粉体细腻均匀、分散性优良、粒径规整，无硬质团聚结块、无粗颗粒杂点、无氧化白斑、无机械杂质。高纯度产品组分单一纯净，无其他金属杂质、氧化锗残留、无机盐及工艺副产物，粉体活性均匀、半导体性能稳定、批次一致性极强；工业级含微量惰性金属杂质与轻微氧化组分，不影响常规合金熔炼、半导体掺杂、基础材料改性等常规应用。密封真空隔氧防潮条件下性状稳定，长期敞口暴露、潮湿空气环境下表面会缓慢氧化生成二氧化锗薄层，高温有氧环境下氧化速率显著加快，无自发分解、无剧烈变质现象。
熔点：937.4℃，熔融区间稳定，中低温环境下晶体结构完整规整，晶格无坍塌、无性状变异、无半导体性能衰减。达到熔点区间可平稳熔融，液相金属流动性良好、组分均匀纯净，适配合金复合、晶体生长、精密熔炼工艺；持续超高温极限环境下会发生金属汽化、晶体结构彻底损毁，完全丧失半导体掺杂、光学材料改性、特种合金制备等核心使用性能。
沸点：2830℃（常压），热稳定区间宽泛，高温工况下热耐受性能优异，无提前分解、无高温粉化变质。超沸点极限温度下金属快速汽化损耗、结构彻底失效，完全失去半导体基材、红外光学改性介质、电子材料原料、科研实验基材等应用价值。常温无挥发损耗、理化性质稳定，适配惰性气氛高温烧结、真空熔炼、半导体材料制备等工况，禁止高温敞口加热、空气氛围超温处理。
密度：5.32g/cm³（25℃），晶体结构致密紧实，锗原子排布均匀有序，共价键与金属键作用力稳定牢固，无密度分层、组分偏析、内部夹杂现象。密闭真空、干燥惰性气氛环境下无相变、无风化变质、无组分析出，规范密封储存可长期维持粉体结构与光电、理化性能稳定。
溶解性：不溶于水、乙醇、及各类有机溶剂，常温干燥环境下化学惰性强，耐酸碱腐蚀。可溶于浓硝酸、浓等强氧化性强酸体系，反应生成可溶性锗盐及氧化物体系，酸溶反应平稳可控、残渣极少，适配锗盐制备、粉体提纯、精密无机改性、半导体化学科研实验等各类场景。
功能特性：具备优异的本征半导体特性，常温下载流子迁移率稳定，光电转换性能优良，同时拥有的红外透光性能与高光学折射率。掺杂改性后可精准调控半导体导电性能，合金化后可提升特种材料的硬度、耐腐蚀性与热稳定性，适配红外光学、微电子、特种合金、新能源材料等高端改性场景，材料适配性广、性能稳定精准。
酸碱度：单质粉体呈中性，无酸碱解离特性、无腐蚀性、化学性质温和可控。常规干燥空气、惰性气氛体系中晶体结构、光电性能、半导体特性稳定，无功能衰减、无快速失效；长期高温、高湿、强氧化、酸碱腐蚀环境下易发生表面氧化、晶格轻微改性，导致光电性能、导电性能逐步衰减，常规常温密闭隔氧工况下性能稳定可控。
稳定性：常温真空密封、惰性气体保护、干燥避光通风条件下，晶体晶格结构、光电性能、半导体活性均可长期保持稳定。不易霉变、不易自发氧化、耐储存性能优良；对高温、富氧、潮湿环境较为敏感，长期敞口放置易表面氧化失活，规范隔氧防潮密封储存可有效维持粉体品相与使用性能。
工业级：纯度≥99.0%，含微量金属杂质与表面氧化组分，，合金适配性强、基础性能稳定、批次均衡性好。适用于常规特种合金熔炼、普通电子辅料、基础工业改性场景。
纯：纯度≥99.9%，杂金属含量极低、氧化夹杂少、粉体分散性优异、光电性能稳定。适用于中端半导体掺杂、常规光学材料改性、精密合金制备场景。
高纯级：纯度≥99.99%，杂质干扰极低、晶格纯度精准、光电性能均一、实验重复性极强，无干扰性夹杂杂质。适配高端半导体芯片材料、精密红外光学器件、高精科研实训、特种功能材料研发场景。
销售规格：支持规格定制与小批量采购，采用真空封装、惰性气体保护密封包装，全程隔绝氧气、水分与环境湿气，有效防止粉体表面氧化、品相衰减、性能下降。产品批次统一、粉体均匀、金属光泽纯正、纯度达标、光电性能稳定，可全面适配半导体材料、光学器件、特种合金、科研教学等场景。
储存条件：适宜常温阴凉、干燥通风、真空密封或惰性气体保护环境保存，高精半导体及光学材料制备建议恒温隔氧密封储存。远离高温热源、潮湿积水、强氧化剂、酸碱腐蚀介质，禁止长期敞口暴露在空气中，避免粉体氧化变质、光电性能衰减。不同品级产品分开存放，严禁与酸性、腐蚀性、强氧化物料混储，防止发生化学反应导致粉体晶格破坏、性能失效。
用途：半导体领域用作核心掺杂粉体与基材，制备晶体管、芯片基底、半导体元器件，精准调控材料导电性能；光学材料领域用于红外光学镜片、透光器件、高折射率光学材料制备，适配红外探测、精密光学仪器；合金工业领域用于改性特种合金，提升合金耐温性、耐腐蚀性与机械强度；新能源与电子领域用于光电转换材料、传感材料制备；科研教学领域用于类金属理化特性、半导体材料改性、光电功能材料原理的教学演示与科研实训。
制备工艺：以高纯锗锭或锗富集化合物为基础原料，经高温还原提纯、真空精炼、气体雾化制粉、机械超细细化、粒径分级筛分、表面钝化除氧、惰性气体保护封装等多道高纯稳控工序精制而成，分级去除杂金属、氧化物、工艺残渣与微量杂质，提纯得到工业级、纯、高纯级合格锗粉成品。
危险性：属于类金属粉体材料，无易燃易爆特性、无强腐蚀性，常规状态下理化性质稳定。超细粉体对皮肤、眼部、呼吸道黏膜存在轻微刺激性，无急性剧毒与强致敏性，常规规范操作安全性高。操作时保持环境通风，佩戴基础防尘防护用具、护目镜与防护手套，避免大量粉尘吸入与长期直接接触。严禁与强氧化性强酸高温混配，防止发生剧烈氧化放热反应。废液、废渣及包装按金属无机危废规范无害化回收处理，严禁随意倾倒，规避微量金属残留与环境污染风险。
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持证合法经营各种化工原料：非危险化学品、危险化学品、易制爆、和易制毒等工业与试剂产品
批发（无仓储）：、、、乙醇（无水）、乙酸（含量>80%）、氢氧化钠、过氧化氢（20%≤含量≤60%）、漂白粉、铜、硝酸、、甲酸、正磷酸、硫化钠（含结晶水≥30%）、次溶液（含有效氯>5%）、氯[液化的]（以上经营项目许可证有效期至2017年4月7日），销售：塑料制品、钢材、建筑材料、化工产品...
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