C70240引线框架美标无钴铜镍硅合金

产品定位：引线框架专用高导无钴 Corson 合金，零钴、无铍、无镉铅，依托微量 Zn 细化晶粒，兼顾高导电 + 优良蚀刻性能 + 抗高温松弛，主打 QFN/DFN、SOP、功率 IC 半导体引线框架，替代 C19400、C70250，实现框架散热提升、引脚细线化量产，适配半导体塑封高温制程。

一、牌号与执行标准

美标 UNS C70240、ASTM B740；国标对标CuNi2.8SiZn；工业无钴（Co≤0.03%）、不含 Be/Pb/Cd，满足 RoHS、REACH、半导体封装环保规范；热处理工艺：910~930℃固溶 + 440~460℃时效，Ni₂Si 析出强化 + 锌晶粒细化，适配引线框架蚀刻、冲压后塑封烘烤制程。

二、化学成分 (wt%，ASTM 管控)

Cu 余量；Ni：2.5～3.3（典型 3.0%）、Si：0.50～0.75、Zn：0.40～0.75；Fe≤0.10、Pb≤0.01、杂质总和＜0.12%，全程不加钴贵金属，原料成本优于含钴镍硅铜。

三、关键理化性能（引线框架核心指标）

1、电气导热（框架散热关键）

时效成品45～52% IACS，电阻率 3.3～3.8μΩ・cm，热导率 218～232W/(m・K)，远高于 C70250 (38~43% IACS)，功率 IC 框架散热快、芯片温升更低。

2、高温抗松弛（适配塑封 170℃烘烤）

长期耐温 140℃；125℃/1000h 弹力留存≥90%，塑封高温后引脚不变形、不翘曲，解决细线框架塑封偏移不良。

3、基础物理参数

密度 8.81g/cm³，弹性模量 128.5GPa，线胀系数 17.8×10⁻⁶/℃，无磁，高频半导体无涡流发热。

4、三种交货态力学（框架冲压 / 蚀刻选型）

1. O 软态｜超薄蚀刻细密引脚框架：抗拉 520~590MPa，屈服≥460MPa，HV165~188，伸长≥10%，0.1mm 超薄料细密蚀刻无断针；

2. 1/2H 中硬（引线框架主力料）｜SOP、常规 QFN 框架：抗拉 610~690MPa，屈服≥540MPa，HV195~222，伸长≥5.5%，高速冲压 + 化学蚀刻量产通用；

3. EH 全硬｜大功率 IGBT、功率 MOS 框架：抗拉 730~820MPa，屈服≥670MPa，HV252~278，伸长≥2.3%，粗引脚重载封装抗形变。

四、C70240 五大框架选材优势

1. 无钴高性价比：剔除钴元素，采购成本低于含钴 C70315，导电优于 C70250，大批量框架降本；

2. 蚀刻均匀性优异：锌元素均匀晶粒，化学蚀刻侧壁平直、无毛刺，0.08~0.12mm 超细引脚良率提升；

3. 电镀挂锡稳定性强：镀镍、镀锡附着力优异，中性盐雾≥450h，塑封后镀层不起皮；

4. 耐高温塑封：耐受 175℃短时塑封烘烤，引脚平整度高，降低封装报废率；

5. 环保合规：无铍无钴，蚀刻废液环保易处理，符合半导体工厂环评标准。

五、细分引线框架应用场景

1、半导体 IC 封装框架

QFN/DFN 小型贴片 IC、SOP8/SOP16 通用芯片、LED 大功率支架、逻辑芯片引线框架；

2、功率器件封装

MOS 管、三极管、低压可控硅、小功率 IGBT 引脚框架；

3、车载芯片框架

车身 MCU 芯片、电源管理 IC、传感器芯片封装引线框。

六、现货供货规格（框架专用高精带）