二硒化锗,99.99% 5g/瓶 CAS号：12065-11-1

紫外 - 宽波段探测：禁带宽度约 2.5 eV，对紫外（200–400 nm）高敏感，可与硅集成形成GeSe₂/Si 异质结，实现紫外增强探测（360 nm 响应度 323 mA/W，优于商用硅探测器）。

红外探测与成像：透明范围覆盖可见光至中红外，用于红外传感器、夜视仪、光谱分析器件。

高速光通信：响应速度快（微秒级），适用于保密光通信、光开关等。

红外窗口 / 透镜：中红外区（3–5 μm）透明度高，用于红外光学系统、激光腔体、红外制导部件。

红外镀膜：制备增透膜、高反膜，提升红外器件效率。

非线性光学晶体：具有二阶 / 三阶非线性效应，用于光参量振荡器、频率转换器、激光调制器。

光泵浦固体激光器：作为增益介质或调 Q 材料，提升激光输出性能。

薄膜太阳能电池：层状结构适合制备高效薄膜光伏电池，光电转换效率与稳定性良好。

热电材料：低导热率、高载流子迁移率，用于温差发电、微型制冷器件（潜在应用）。