C18100铬铜合金
- 报价
- ￥88.00元每千克
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- 型号
- C18100铜合金
- 规格
- 铜带铜板0.02mm-10.0mm
- 报告
- 环保报告，原厂材质证明，进口报关证明
C18100 铬铜合金是 UNS 标准体系下的 Cu-Cr-Zr-Mg 系沉淀硬化型高导高强铜合金，对应国标 、德标 CuCr1Zr/2.1293，执行 ASTM B551 。通过纳米级铬相析出与锆镁元素协同强化，在保持接近纯铜的超高导电导热性的同时，获得了的高温抗软化性能、耐磨性与抗电弧烧蚀性，是焊接制造、半导体、新能源、电力电气等领域替代纯铜、普通铬铜的高性能材料。
铜 + 银（Cu+Ag）：余量（≥98.7%，采用高纯电解铜原料，保证基础导电性能）
铬（Cr）：0.40%-1.20%（典型值 0.8%，主强化元素，形成纳米 Cr 相提升强度与耐热性）
锆（Zr）：0.08%-0.20%（典型值 0.15%，细化晶粒，显著提高再结晶温度与抗蠕变性能）
镁（Mg）：0.03%-0.06%（典型值 0.04%，脱氧净化，增强析出强化效果与抗应力松弛性能）
杂质控制：Fe≤0.10%、Si≤0.05%、Pb≤0.02%，杂质总和≤0.50%，完全符合 RoHS、REACH、ELV 全球环保标准
超高导电导热：导电率 80%-85% IACS（典型值 82% IACS），导热率 320-350W/(m・K)，仅比纯铜低 10% 左右，远优于 C18200 铬铜（45% IACS）、C19400 铁铜（40% IACS），大电流传输损耗低，工作温升比普通铜合金降低 20% 以上，有效提升系统安全性与可靠性。
高强高韧完美匹配：时效态抗拉强度 520-650MPa，0.2% 屈服强度≥450MPa，延伸率≥10%，硬度 160-200HV；90°W 折弯 R/t≤1.0 无裂纹，TD 方向折弯性能优异，适配精密冲压与复杂成型工艺。
抗高温软化性能：软化温度≥500℃，500℃长期工作仍保持 85% 以上原始强度，260℃三次回流焊无软化、无变形，热加工后性能保持率≥90%，是高温导电场景的理想材料。
优异耐磨抗电弧烧蚀：纳米析出相赋予合金优异的耐磨性，抗磨粒、抗粘着、抗咬合性能突出；电弧烧蚀量仅为纯铜的 1/3，抗熔焊性能好，开关分合时不易产生粘连，使用寿命延长 2-3 倍。
优良工艺性能：冷热加工性能良好，可进行挤压、轧制、冲压、折弯、切削等多种加工；表面光洁度高，电镀锡、银、镍附着力强，百格测试达 0 级；钎焊、激光焊接性能优良，焊接接头强度达母材 90% 以上。
焊接制造领域：电阻焊电极、电极帽、缝焊轮、导电嘴、电极臂、电极夹头，尤其适合低碳钢、镀锌板、不锈钢的高速自动化焊接。
半导体封装领域：中高端 IC 芯片引线框架、功率器件（IGBT、MOSFET、SiC）引线框架、散热片、热沉、分立器件载体。
新能源汽车领域：800V 高压连接器端子、动力电池模组汇流排、BMS 采样端子、电机电控导电件、充电枪内部导电部件。
电力电气领域：高压开关触头、断路器触点、母线汇流排、变压器导电件、高铁受电弓滑板、电机换向器。
模具与热工领域：热作模具镶块、注塑模热流道喷嘴、冷却镶件、玻璃模具、压铸模具、热压模具。
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严格质量管控体系：所有材料均符合 ASTM、JIS、EN、GB 等国际国内标准，每批次提供光谱成分分析、硬度、导电率、力学性能、晶粒度及环保检测报告，全程质量可追溯。
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半导体封装客户：C18100 带材用于功率 MOSFET 引线框架，导电散热性能优异，芯片工作温度降低 12℃，封装良率提升 15%，替代进口材料降本 22%，满足车规级半导体要求。
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