HBPC2001系列压力传感器模组
产品特性
压力范围:30kPa~110kPa,范围可选
工作温度:-40~85℃
供电电压:1.7~3 .6V(VDD),1.2~3 .6V(VDDIO)
封装形式:带金属盖的LGA包装
相对精度:±0.006kPa,等效于±0.5m
精度:典型值±0.1kPa(30...110kPa)
温度精度:±0.5℃
压力温度灵敏度:<0.5Pa/K
测量时间:典型值:28 ms,小值:3 ms
平均电流消耗:高精度:60 uA,低功耗:3uA,待机:<1uA
I2C和SPI接口,嵌入式24位ADC
FIFO:存储新的32个压力或温度测量值
不含铅、不含卤素且符合RoHS标准
潜在应用
增强GPS导航功能(推算航、坡度检测等)
室内和室外导航
休闲和体育
天气预报
垂直速度指示(上升/下降速度)
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产品概述
HBPC2001是一款高精度、低功耗的微型数字气压传感器,集压力与温度传感功能于一身。其压力传感器元件采用电容式传感原理,确保在温度变化时仍能保持高精度。小巧的封装设计使HBPC2001成为移动应用和可穿戴设备的理想选择。
HBPC2001的内部信号处理器将压力和温度传感器元件的输出转换为24位结果。每个压力传感器都经过单独校准,并包含校准系数。这些系数在应用程序中用于将测量结果转换为真实的压力和温度值。
HBPC2001具有可存储新32次测量结果的FIFO。通过使用FIFO,主机处理器可在两次读数之间保持更长时间的休眠模式。这可以降低整个系统的功耗。
测试条件
表1:HBPC2001 测试条件
标准条件 | 温度 | 湿度 | 气压 |
环境条件 | -40℃~+85℃ | 25%RH~75%RH | 30kPa~110kPa |
基本试验条件 | +25°C | 60%RH~70%RH | 30kPa~110kPa |
大额定参数
表2:HBPC2001 大参数
性能参数 | 小值 | 典型值 | 大值 | 单位 | 备注 |
存储温度 | -40 | 125 | ℃ | ||
供电电压 | +4 | V |
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所有IO 引脚上的电压 | +4 | V | 所有引脚 | ||
ESD | -2 | +2 | kV | 所有引脚 | |
过载压力 | 1000 | kPa |
电特性
VDD =1.8V,VDDIO=1 .8V,T=25°C,除非另有说明。如果未特别说明,给定的值是给定操作模式下温度/电压范围内的±3-Sigma 值。
表3:HBPC2001 机械特性
性能参数 | 符号 | 小值 | 典型值 | 大值 | 单位 | 备注 |
工作温度 | TA | -40 | 25 | 85 | ℃ | 可操作 |
0 | 25 | 65 | ℃ | 完全准确 | ||
工作压力 | P | 30 | 110 | kPa | ||
供电电压 | VDD | 1.7 | 3.6 | V | ||
接口电源电压 | VDDIO | 1.2 | 3.6 | V | ||
电源电流(每秒 测量一次) | IDD | 3 | 5 | uA | 1Hz,低功率 | |
11 | 15 | 1Hz,标准 | ||||
40 | 50 | 1Hz,高精度 |
注:当前消耗取决于压力测量精度和速率。请参考压力配置(PRS_CFG)寄存器描述,以
了解不同测量精度和速率组合下的当前消耗概述。
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峰值电流 | Ipeak | 400 500 uA | 转换期间 | |||||
待机电流 | Iddsbm | 1 uA | ||||||
相对准确压力 | P_R | -6 6 Pa -0.5 0.5 m | 95~105kPa +25~+40℃ | |||||
压力 | P_A | -0.1 0.1 kPa | 30~110kPa 0~+65℃ | |||||
输出数据分辨率 | 0.060.01 Pa ℃ | 压力 温度 | ||||||
压力噪声 | P_Noise | 2 5 0.51.20.3 0.6 | PaRMS | 低功率模式 标准模式 高精度模式 | ||||
注:压力噪声的测量值为平均标准差。有关所有精密模式选项,请参阅压力配置(PRS_CFG) 寄存器说明。 | ||||||||
偏移温度系数 | TCO | ±0.5 Pa/K ±4.2 cm/K | 100kPa +25~+40℃ | |||||
准确温度 | -3 ±1 3 | ℃ | 0~+65℃ | |||||
压力温度测量速率 | f | 1 128 | Hz | |||||
压力测量时间 | t | 5 8 28 35 | ms | 低功率模式 标准模式 | ||||
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105 | 115 | 高精度模式 |
注:压力测量时间(以及大速率)取决于压力测量精度。有关测量精度和速率的可能组合
的概述,请参阅压力配置(PRS_CFG)寄存器说明。
电源拒绝 | Ap_psr | 0.063 | PaRMS | |||
电源电压上升时间 | tvddup | 0.001 | 5 | ms | ||
串行数据时钟 | FI2C | 3.4 | MHz | 用于I2C | ||
fSPI | 10 | MHz | 用于SPI | |||
长期稳定性 | -0.1 | 0.1 | kPa | 12 月 | ||
传感器就绪时间 | TSensor_rdy | 12 | ms | |||
系数的时间可用 | TCoef_rdy | 40 | ms |
操作
1、 操作模式
HBPC2001 支持三种不同的操作模式:待机、命令和后台模式。
备用方式
- 通电或复位后的默认模式。不进行测量。
- 所有寄存器和补偿系数均可访问。
命令方式
- 根据所选精度进行一次温度或压力测量。
- 测量完成后,传感器将返回待机模式,测量结果将在数据寄存器中可用。
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后台方式
- 根据所选的测量精度和速率,连续进行压力和/或温度测量。温度测量在压力测量后立
即进行。
- FIFO 可用于存储32 个测量结果,并将传感器必须访问以读取结果的次数小化。注:操作模式和测量类型设置在传感器操作模式和状态(MEAS_CFG)寄存器中。
2、 操作模式
不同的应用需要不同的测量精度和测量速率。一些应用,如气象站,需要比室内导航和运动应用更低的精度和测量速率。
HBPC2001 的测量精度和速率(在后台模式下)可以配置为匹配其所用应用程序的要求。这降低了传感器和系统的电流消耗。
为了获得更高的精度,HBPC2001 将多次读取传感器(过采样),并将读数合并为一个结果。这增加了电流消耗和测量时间,从而再次降低了大测量速率。
测量精度、速率和时间设置在压力配置(PRS_CFG)和温度配置(TMP_CFG)寄存器中。寄存器描述包含有关当前消耗以及测量精度、时间和速率的可能组合的信息。
请注意,压力传感器具有温度依赖性。必须将温度测量与压力测量一起进行,以便补偿温度依赖性。这会降低大压力测量速率,因为:反应温度*时间温度+速率压力*时间压力<1 秒。测量设置和用例示例包含一个表格,其中列出了不同用例中压力和温度精度以及速率的组合示例。
3、 操作模式
HBPC2001 可通过SPI 3 线、SPI 4 线或I2C 串行接口作为从设备访问。
I2C 接口
- 传感器的默认接口。
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- 传感器地址为0x77(默认)或0x76(如果SDO 引脚被拉低至GND)。
I2C 写入
写入操作通过发送从地址进入写模式(RW=‘0’)来完成,从而生成从地址111011X0(‘X’由SDO 引脚状态决定)。随后主设备发送寄存器地址对和寄存器数据。事务通过
停止条件结束。
图1:I2C 多字节写入命令
I2C 读取
要读取寄存器,首先需以写入模式发送寄存器地址(从设备地址111011X0)。随后必须生成停止或重复启动条件。之后以读取模式(RW=‘1’)访问地址111011X1 的从设备,接着从设备会持续发送自递增寄存器地址中的数据,直至出现NOACKM 和停止条件。
图2:I2C 多字节读取命令
SPI 接口
- 如果传感器检测到CSB 引脚处于低电平有效状态,传感器将切换为SPI 模式。SPI
四线制是默认的SPI 接口。
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- 要启用SPI 三线配置,在启动后必须在中断和FIFO 配置(CFG_REG)寄存器中设置一个位。
CSB 处于低电平且具有集成上拉电阻。SDA 上的数据由器件在SCK 上升沿锁存,SDO在SCK 下降沿改变。通信开始于CSB 处于低电平时,并在CSB 处于高电平时停止;在 CSB 的这些转换期间,SCK 必须保持稳定。
图3:SPI 协议,四线制,无中断
在SPI 模式下,仅使用寄存器地址的7 位;寄存器地址的MSB 未被使用,而是由一个读/写位(RW=“0”表示写入,RW=“1”表示读取)所替代。
示例:对于读访问,地址为0x10,传输字节0x90;对于写访问,传输字节0x10。
SPI 写入
写操作通过降低CSB 并发送控制字和寄存器数据对来完成。控制字包含SPI 寄存器地址(即完整寄存器地址,不含第7 位)和写入命令(第7 位RW=0)。无需提升CSB 即可
进行多组写入操作。事务结束时需再次提升CSB。
图4:SPI 多字节写入命令
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SPI 读取
读取操作通过降低CSB 并首先发送一个控制字节来完成。控制字节包含SPI 寄存器地址(即完整寄存器地址,不含第7 位)和读取命令(第7 位RW=1)。写入控制字节后,数据会通过SDO 引脚(三线模式下为SDA)输出;寄存器地址会自动递增。
图5:SPI 多字节读取命令
4、 接口参数说明
通用接口参数
通用接口参数如下表所示:
表4:接口参数
参数 | 符号 | 小值 | 典型值 | 大值 | 单位 | 备注 |
输入引脚处低逻辑电 平的输入电压 | Vlow_in | 0.3*VDDIO | V | VDDIO=1 .2V-3 .6V | ||
输入引脚高电平的输 入电压 | Vhigh_in | 0.7*VDDIO | V | VDDIO=1 .2V-3 .6V | ||
I2C 的输出低电平 | Vlow_SDI | 0.1*VDDIO | V | VDDIO=1 .8V iol=2mA | ||
I2C 的SDI 引脚低电 平输出电压 | Vlow_SDI_ 1.2 | 0.2*VDDIO | V | VDDIO=1 .2V iol=1.3mA |
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引脚SDO、SDI 的输 出电压处于高电平 | Vhigh_out | 0.8*VDDIO | V | VDDIO=1 .8V iol=1mA(SDO,SDI) | ||
引脚SDO、SDI 的输 出电压处于高电平 | Vhigh_out_ 1.2 | 0.6*VDDIO | V | VDDIO=1 .2V iol=1mA(SDO,SDI) | ||
正偏电阻 | Rpull | 60 | 120 | 180 | kohm | 对VDDIO 的内部上拉电阻 |
i2c 总线负载电容器 | Cb | 400 | pF | 关于SDI 和SCK |
I2C 时序参数
I2C 时序如下图所示,对应值如下表所示。命名参考I2C 规范版本2.1,使用的缩写为 “S&F 模式”=标准和快速模式,“HS 模式”=高速模式,Cb=SDA 线上的总线电容。
图6:I2C 时序图
表5:I2C 时序
参数 | 符号 | 小值 | 典型值 | 大值 | 单位 | 备注 |
SDI 引脚的数据设置时间 | tSetup | 20 | ns | S&F 模式 |
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5 | ns | HS 模式 | ||||
SDI 引脚的数据保持时间 | tHold | 0 | ns | S&F&HS 模式 | ||
填充系数 | DC | 70 | % | S&F 模式 | ||
55 | % | HS 模式 |
SPI 时序参数
SPI 时序图如下所示,对应的数值如下表所示所有时间均适用于四线和三线SPI。
图7:脉冲时序图
表6:SPI 时序
参数 | 符号 | 小值 | 典型值 | 大值 | 单位 | 备注 |
填充系数(Thigh%) | SPI_DC | 30 | % | VDDIO=1 .2V | ||
20 | % | VDDIO=1 .8V/3 .6V |
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SDI 设置时间 | T_setup_sdi | 2 | ns | |||
SDI 保持时间 | T_hold_sdi | 2 | ns | |||
时钟 | SPI_CLK | 10 | MHz | |||
CSB 设置时间 | T_setup_csb | 15 | ns | |||
CSB 保持时间 | 15 | ns |
5、 中止
当有新的测量结果可用和/或FIFO 已满时,HBPC2001 可以生成中断。传感器使用SDO引脚发送中断信号,因此,如果接口是4 线SPI,则不支持中断。
中断功能在中断和FIFO 配置(CFG_REG)寄存器中启用和配置。SDO 引脚既作为中断引脚,又作为设备地址的低有效位。如果SDO 引脚被拉低,则中断极性必须设置为高电平有效,反之亦然。
中断状态可以从中断状态(INT_STS)寄存器中读取。
6、 FIFO 操作
HBPC2001 FIFO 可存储后32 个压力或温度测量值。当主机处理器不需要持续从传感器中提取数据时,这可降低整个系统的功耗,主机处理器可以进入更长时间的待机模式。
FIFO 将存储温度和压力测量值的任意组合,因为温度和压力的测量速率可以在后台模式下独立设置。例如,压力速率可以设定为温度速率的四倍,因此每五个结果中仅有一个是温度结果。测量类型可在结果数据中查看。传感器会将低有效位设置为:
如果结果是压力测量值,则为“1”。
如果是温度测量值,则为“0”。
- 传感器使用24 位来存储测量结果。由于该数值比覆盖压力传感器完整动态范
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围所需的数值更多,因此使用低有效位标记测量类型不会影响结果的精度。
FIFO 可以在中断和FIFO 配置(CFG_REG)寄存器中启用。无论FIFO 中的下一个结果是温度还是压力测量,FIFO 中的数据都从压力数据(PRS_Bn)寄存器中读出。
当读取测量值时,FIFO 将自动递增并将下一个结果放入数据寄存器。当FIFO 为空且所有后续读取都将返回0x800000 时,将在FIFO 状态(FIFO_STS)寄存器中设置标志。
如果FIFO 已满,则FIFO 状态(FIFO_STS)寄存器中将设置一个标志,如果在中断和FIFO 配置(CFG_REG)寄存器中启用该标志,则传感器将生成一个中断。
7、 校准和测量补偿
HBPC2001 是经过校准的传感器,包含校准系数。这些校准系数在应用程序中使用(例如由主机处理器使用),用于补偿测量结果中的传感器非线性。
以下章节描述如何计算补偿结果并将其转换为Pa 和°C 值。
如何计算补偿压力值
1、 从校准系数寄存器中读取校准系数(c00、c10、c20、c30、c01、c11 和c21)。
注:系数c00 和c10 是20 位二进制补码,c20、c30、c01、c11 和c21 是16 位二进制补码。
2、 根据所选的精度率,选择缩放因子kT(温度)和kP(压力)。缩放因子列于表7中。
3、 读取寄存器或FIFO 中的压力和温度结果
注:从结果寄存器(或FIFO)读取的测量值是24 位二进制补码。根据所选的测量速率,可能无法测量自上次压力测量以来的温度。
4、 计算测量结果的量程。
Traw_sc =Traw/kT
Praw_sc =Praw/kP
5、 计算补偿测量结果。
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Pcomp(Pa)=c00+Praw_sc*(c10+Praw_sc*(c20+Praw_sc*c30))+Traw_sc*c01+Traw_sc*Praw_sc*(c11+Praw_sc*c21)
如何计算补偿温度值
1、 从校准系数(COEF)寄存器中读取校准系数(c0 和c1)。
注意:从系数寄存器中读取的系数是12 位二进制补码。
2、 根据所选的精度率选择缩放因子kT(温度)。缩放因子列于表6 中。
3、 从温度寄存器或FIFO 中读取温度结果。
注:从温度结果寄存器(或FIFO)读取的温度测量值是24 位二进制补码。
4、 计算测量结果的量程。
Traw_sc =Traw/kT
5、 计算补偿测量结果
Tcomp(℃)=c0*0 .5+c1*Traw_sc
补偿比例系数
表7:补偿比例系数
重复取样速率 | 比例因子(kP 或kT) |
1(1 次) | 524288 |
2 次(低功率) | 1572864 |
4 次 | 3670016 |
8 次 | 7864320 |
16 次(标准) | 253952 |
32 次 | 516096 |
64 次(高精度) | 1040384 |
128 次 | 2088960 |
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封装尺寸
HBPC2001 产品系列封装尺寸如下图12,所有尺寸单位均为毫米(mm),未标明公差为±0 .1mm。
(a)顶视图(b)底视图 (c)侧视图
图12:封装尺寸图
引脚定义及功能描述
HBPC2001 产品系列引脚定义如图13,引脚功能描述如表14。
图13:引脚定义图
表14:引脚功能描述
引脚编号 | 1,7 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 8 |
定义 | GND | CSB | SDA | SCL | SDO | VDDIO | Vdd |
功能 | 地 | 片选信号 | 数据信号 | 时钟信号 | 数据输出 | IO 电源 | 供电正极 |
请注意:
1) 任何电信号不要连到NC 脚,否则可能会引起部分功能失效。
2) 焊装过程中做好防静电保护。
3) 过载电压(6 .5VDC)可能烧毁电路芯片,请在Vdd 和GND 之间加上0 .1uf 电容。
4) 本产品无反接保护,装配时请注意电源极性。
参考回流曲线
HBPC2001 产品系列SMT 回流焊温度曲线请参看图14,回流焊的工艺参数说明请参
考表15。
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图14:回流焊温度曲线
表15:回流焊参数说明
曲线特征 | 无铅 |
平均加热速率(TSMAX 到TP) | 快3°C/秒 |
预热区低温度(TSMIN) | 150°C |
预热区高温度(TSMAX) | 200°C |
TSMIN 到TSMAX (tS) | 60~180 秒 |
回流区温度(TL) | 217°C |
回流区时间(tL) | 60~150 秒 |
峰值温度(TP) | 260°C |
峰值温度+/-5°C 保持时间(tP) | 20~40 秒 |
下降速度(TP to TSMAX) | 大6°C/秒 |
从25°C 到峰值温度的时间 | 长8 分钟 |
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请注意:
1) 传感器芯片上不允许落入灰尘中,以免影响产品性能。
2) 回流焊后清洗时,避免清洗剂或清洁剂侵入内部损坏产品。请不要将产品暴露在超声波处理或清洁,避免产品发生故障。
3) 建议回流焊次数不超过3 次。
版本修订记录
版本 | 描述 | 日期 |
1.0 | 首次发行 | 2022 年10 月 |
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主营:功率电感、大电流电感、贴片电感、TLVR电感、耦合电感、PFC电感、铜铁共烧合金电感、扁平线电感、共模电感、非晶高频电感、屏蔽工字电感、一体成型电感、插件电感、滤波电感、100uh电感、磁环电感
一般经营项目是:环保技术开发;机器设备的研发;计算机耗材;通信设备的研发、销售、技术咨询;车载物联网设计研发;国内贸易,货物及技术进出口。从事两片式大功率电感,一体成型电感(碳基粉末,合金粉末),扁平线电感,共模电感,插件电感,PD平板变压器研发、生产、销售为一体 的高新技术企业、主要产品包括CPU/GPU应用组合式大功率电感器、DC/DC扁平线组合式大功率
深圳市好东方新能源环保有限公司(以下简称H-East)成立于2014年10月,是一家主要从事两片式大功率电感,一体成型电感(碳基粉末,合金粉末),扁平线电感,共模电感,插件电感,PD平板变压器研发、生产、销售为一体 的高新技术企业、主要产品包括CPU/GPU应用组合式大功率电感器、DC/DC扁平线组合式大功率电感器、EMI共模电感器、一体成型合 金电感器、一体成型炭基电感器、方型插件电感器、方型组合贴片电感器、普通功率电感器及磁环绕线电...