AO4485 MOS管 N型原装原厂直销

 

一般信息数据列表ao4485 datasheet;
so8 pkg drawing;标准包装  3,000包装  标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - fet，mosfet - 单系列-其它名称ao4485-nd 
规格fet 类型p 沟道技术mosfet（金属氧化物）漏源极电压（vdss）40v电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）10a（ta）驱动电压（大 rds on，小 rds on）4.5v，10v不同 id 时的 vgs（th）（大值）2.5v @ 250µa不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（大值）55nc @ 10v不同 vds 时的输入电容（ciss）（大值）3000pf @ 20vvgs（大值）±20vfet 功能-功率耗散（大值）1.7w（ta）不同 id，vgs 时的 rds on（大值）15 毫欧 @ 10a，10v工作温度-55°c ~ 150°c（tj）安装类型表面贴装供应商器件封装8-soic封装/外壳8-soic（0.154"，3.90mm 宽）
文档其它有关文件aos green policypcn 组件/产地mosfet wafer supplier 29/oct/2013
 

 

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