一般信息
规格fet 类型n 沟道技术mosfet（金属氧化物）漏源极电压（vdss）30v电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）3.8a（ta）驱动电压（大 rds on，小 rds on）2.5v，10v不同 id 时的 vgs（th）（大值）1.8v @ 250µa不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（大值）3.2nc @ 4.5v不同 vds 时的输入电容（ciss）（大值）270pf @ 15vvgs（大值）±12vfet 功能-功率耗散（大值）1.4w（ta）不同 id，vgs 时的 rds on（大值）80 毫欧 @ 2a，10v工作温度-55°c ~ 150°c（tj）安装类型表面贴装供应商器件封装sot-23-3l封装/外壳to-236-3，sc-59，sot-23-3
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