C19400 R530引线框架铜带

C19400 R530 引线框架铜带 660 字介绍

C19400（CuFe2P/CW107C）R530 是引线框架专用高强度高导电铜铁磷合金，为半导体IC、分立器件、功率器件核心承载与导电材料，依托精准成分设计与精密轧制工艺，完美平衡高强度、高导电、高耐热与精密加工性，是电子封装小型化、高可靠化的关键选材。

该合金以高纯电解铜为基体，精准添加 2.1%–2.6% 铁（Fe）与 0.015%–0.15% 磷（P），Fe元素形成弥散强化相提升强度与抗软化能力，P 元素脱氧净化、细化晶粒，杂质含量极低，符合半导体级材料标准。R530为高强度状态，抗拉强度 530–600MPa，硬度 HV150–180，导电率 60%–70% IACS，热导率约280W/(m・K)，软化温度超 400℃，适配 SMT 回流焊高温工况。

材料热膨胀系数约17.7×10⁻⁶/℃，与硅芯片、陶瓷基板匹配，有效降低热循环应力，提升器件可靠性。采用连续铸造、精密冷轧与时效热处理全流程工艺，带材厚度0.10–1.2mm，宽度5–600mm，板面平整光洁，厚度公差精密，边缘无毛刺，支持高速冲压、蚀刻、精密分条，可稳定镀镍、镀锡，满足 QFP、QFN等超细引脚（≤0.3mm）成型需求。

广泛用于半导体 IC 引线框架、MOSFET/IGBT 功率器件框架、LED 支架、汽车电子 ECU引脚、传感器端子、车载连接器及继电器簧片等。

随着电子封装向轻薄化、高集成化发展，C19400 R530铜带凭借优异综合性能与成本优势，解决传统材料强度不足、导电差、不耐高温等痛点，助力电子器件小型化、长寿命与高可靠运行，是中高端引线框架的主流选择。