少子寿命少数载流子寿命测试

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更新时间
2026-04-13 09:00

详细介绍-

少数载流子寿命少数载流子寿命少子寿命

载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子(因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来,多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了),所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命,即少数载流子寿命。

少子寿命测试仪性能参数:


1.测量原理:QSSPC(准稳态光电导); 


2. 少子寿命测量范围:100ns-10 ms;


3.测试模式:QSSPC,瞬态,寿命归一化分析;


4. 电阻率测量范围:3–600(undoped) Ohms/sq.;


5.注入范围:1013-1016cm-3;


6.感测器范围:直径40-mm;


7. 测量样品规格:标准直径:40–210 mm (或更小尺寸);


8.硅片厚度范围:10–2000  μm;


9.外界环境温度:20°C–25°C;


10. 功率要求:测试仪: 40W ,  电脑控制器:200W ,光源:60W;


11.通用电源电压:100–240 VAC 50/60 Hz;


涡流法电阻率,少子寿命,少数载流子寿命,非接触方阻,半绝缘碳化硅
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