宽禁带半导体材料检测机构，宽禁带半导体材料缺陷密度检测

宽禁带半导体材料检测面向碳化硅、氮化镓等核心材料，聚焦电学、热学、晶体结构与表面形貌等关键性能，精准表征载流子浓度、缺陷密度、热导率等核心指标。通过全维度测试，保障材料适配高频高压场景，支撑器件研发、工艺优化与量产质量管控，提升产品可靠性与良率。

检测范围

碳化硅单晶衬底、氮化镓外延片、氧化镓薄膜、金刚石基宽禁带材料、功率器件用宽禁带晶圆

检测项目

位错密度、载流子迁移率、击穿电压、热导率、表面粗糙度、禁带宽度、晶格常数、深能级缺陷

检测标准

1、T/CASAS 002-2021宽禁带半导体术语

2、GB/T 14264-2024半导体材料术

3、GB/T 14264-1993半导体材料术语

4、GB/T 14264-2009半导体材料术语

5、IEC 63068-4:2024 半导体器件 碳化硅晶圆缺陷无损检测方法。

【检测周期】

到样后7-10个工作日（可加急），根据样品及其检测项目/方法会有所变动，具体需咨询工程师。

【服务客户】

我院每年出具超过20000份报告，累计服务客户45000多家，客户类型包含公检法单位、高校及科研院所、500强企业、跨国公司等。