PCB板、芯片，电子废料贵金属含量检测

代表性取样：电子废料成分极不均匀（不同批次、不同型号的电路板、芯片、连接器含量差异巨大）。必须采用科学方法（如四分法、机械采样）获取有代表性的样品。

分类与拆解：

高含量部件：CPU/GPU插槽、内存条“金手指”、芯片（特别是老式陶瓷封装）、多层陶瓷电容（含钯）、电镀件、连接器。

中低含量部件：主板基板、焊料、普通集成电路。

物理处理：通过切割、破碎、研磨等方式，将样品均质化至一定粒度（如<1mm），便于后续消解。

火试金法：尤其适用于金、银的准确测定。将样品与助熔剂（如碳酸钠、氧化铅、硼砂等）在高温下熔融，贵金属被富集在铅扣中，再经灰吹得到贵金属合粒，Zui后溶解测定。优点：结果准确可靠，是仲裁方法。缺点：耗时、设备要求高、有铅污染。

湿法消解：Zui常用的实验室方法。

注意：银在王水中会形成氯化银沉淀，包裹样品，影响溶解。因此测银时通常使用硝酸消解或逆王水。

王水消解：适用于金和钯。浓盐酸与浓硝酸按3:1体积比混合，能高效溶解金和钯。

硝酸消解：适用于溶解银和贱金属（铜、镍、铁等），使银以形式进入溶液。

氢氟酸辅助：若样品中含大量硅（如芯片封装材料），需加入HF以破坏硅结构。

微波消解：现代实验室。在密闭高压容器中加热，速度快、试剂用量少、污染小、金属损失少、安全性高。

焚烧预处理：对于含大量有机物的电路板，可先低温焚烧去除有机物，再将灰烬进行消解。

电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）

优点：灵敏度极高（可达ppt级），可同时测定多种痕量、超痕量元素（金、银、钯、铂等），线性范围宽，速度快。

缺点：仪器昂贵，运行成本高，对样品纯净度要求高（需去除干扰）。

适用：高精度、低含量的分析，是当前主流高端方法。

电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES/ICP-AES）

优点：可同时测定多种元素（包括主量元素如铜），灵敏度较高（ppb级），线性范围宽，稳定性好。

缺点：对于超低含量（<1ppm）的金、钯，灵敏度可能不如ICP-MS。

适用：常规、高效的贵金属含量分析，。

原子吸收光谱法（AAS）

火焰原子吸收（FAAS）：适用于含量较高的银（ppm级别）。对于金和钯，灵敏度较低。

石墨炉原子吸收（GFAAS）：灵敏度高，可测定ppb级的金、钯。但一次只能测一种元素，效率较低，基体干扰较复杂。

优点：仪器普及，成本相对较低。

缺点：单元素顺序测定，效率低；线性范围窄。

滴定法（主要用于金）

碘量法：用于较高含量金（>1%）的测定，是经典化学方法。

优点：设备简单，成本极低。

缺点：操作繁琐，依赖人员经验，易受其他元素干扰。

X射线荧光光谱法（XRF）

手持式XRF：可在现场对整块电路板或部件进行无损、快速筛查。直接给出金、银、钯的大致含量。

优点：速度快、无损、无需前处理。

缺点：只能检测表面（深度几十微米），结果受表面镀层、基材、样品均一性影响大，精度较差，通常用于分类和初步估价，不能作为交易结算依据。

台式（实验室）XRF：精度优于手持式，但仍需标样校正，对样品均一度要求高。