SCT53600QTVDR，车规级具有反向电流保护的理想二极管控制器

特性：

描述：

是一款理想二极管控制器，与外部N沟道MOSFET配合使用，作为低损耗反向极性保护的理想二极管整流器，可替代肖特基二极管。在4.7V至65V的宽电源电压范围内运行。该设备可以承受并保护负载免受低至-65V的负电源电压的损坏，并阻止反向电流流动，有助于简化汽车ISO7637保护的系统设计。控制器通过电荷泵为外部N沟道MOSFET提供栅极驱动。该器件将外部MOSFET的正向电压降调节到20mV，可以在反向电流情况下快速关闭，在发生反向时提供MOSFET的非常快的关断（<0.75μs），以在电源故障或输入微短路条件下Zui大限度地减少反向电流。对反向电流阻断的快速响应使该设备适用于需满足ISO7637脉冲测试要求的系统或对输出电压存在维持不掉电要求的系统。
在关机模式下仅消耗1μA的电流，使能引脚低以延长电池寿命。该器件采用SOT23-6封装。

应用：