适用范围：150kHz-30MHz 低频段辐射发射测试，适用于车载电子零部件
限值要求（Class 5 等级）：
30-230MHz：≤40dBμV/m（准峰值）
230-1000MHz：≤47dBμV/m（准峰值）
测试环境：半电波暗室 (ALSE)，消除外部干扰
测试顺序：先进行传导发射测试，再进行辐射发射测试
干扰源：高频开关动作 (500kHz~2MHz) 产生陡峭 dv/dt 和 di/dt
辐射特性：
低频段 (150kHz-30MHz) 以磁场辐射为主（Buck 架构）
高频段 (>30MHz) 以电场辐射为主，共模噪声显著
特殊性：高压 (800V)、大电流工况下，干扰强度更高，dv/dt 和 di/dt 影响更显著
设备配置：
EUT：DC/DC 模块（接入 800V 高压和 12V/24V 低压系统）
辅助设备：高压电源 (800V)、负载 (模拟低压系统)、频谱分析仪、接收天线
测试距离：3m 或 10m（按标准要求）
测试布置关键点：
plaintext
800V高压源 → 5μH/50Ω高压人工网络 → DC/DC模块 → 低压负载高压电缆需 360° 屏蔽，接地良好
低压线缆应短且远离高压回路
天线高度 1-4m，扫描全频段
Step 1：传导发射预测试
频率范围：150kHz-30MHz
测试端口：高压输入端、低压输出端
目的：提前发现并解决传导干扰，避免其转化为辐射
Step 2：辐射发射测试
频率扫描：150kHz-30MHz，分辨率带宽≤10kHz
检波器：准峰值 ()，符合 GB/T 18655 要求
极化方向：垂直和水平，取Zui大值
记录：频谱图、超标点频率和幅度 (dBμV/m)
Step 3：干扰源定位
近场探头扫描：确定主要辐射源位置（功率电感、开关管、PCB 走线）
频谱分析：识别特征频率（开关频率及其谐波）
高压开关特性：dv/dt 高达 10V/ns 以上，产生更强的宽带辐射
寄生参数影响：高压回路杂散电容、电感更大，谐振点更低
屏蔽挑战：高压连接器、线束屏蔽要求更高，需 360° 完整屏蔽
1) 功率电感优化
替换为高磁导率纳米晶磁芯（替代普通铁氧体），减少漏磁
选择闭合磁路设计，降低外部磁场辐射
增加屏蔽罩并良好接地
2) 开关参数调整
增加栅极电阻 (Rg=5-22Ω)，降低开关速率，减小 dv/dt
优化死区时间，减少开关尖峰
选用 SiC 等新型器件，优化开关特性但需配套 EMI 措施
1) 滤波设计
高压侧：π 型滤波器 (差模电感 + 共模电感 + 电容)，靠近模块输入端
plaintext
Ld(差模)---C1 |Vin---Lc(共模)---C2---Vout | ---C3低压侧：同样配置，但参数适配低压特性
关键原则：滤波器必须 "近场安装"，缩短噪声路径
2) PCB 布局优化
开关回路面积Zui小化，减少磁场辐射
高压与低压区域隔离，避免耦合
多层板设计：电源层与地层相邻，形成低阻抗回路
关键信号线 (如 PWM) 包地处理
3) 屏蔽与接地
DC/DC 模块整体金属屏蔽罩，多点接地
高压线缆使用带屏蔽层电缆，屏蔽层 360° 端接
低压输出线套磁环，抑制共模噪声
采用 "星型接地"，避免地环路
重复摸底测试的全部步骤，验证辐射值是否降至限值以下
重点关注原超标频率点及开关频率谐波
案例：某 800V 平台 DC/DC 模块
问题：150kHz-3MHz 频段辐射超标 5-8dB，尤其在 230kHz (开关频率) 处
分析：功率电感漏磁严重，普通铁氧体磁芯饱和
整改：
更换为纳米晶磁芯电感，漏磁减少 15dB
增加局部屏蔽罩并接地
高压侧增加 π 型滤波器
结果：全部频段达标，230kHz 处降幅达 12dB，满足 GB/T 18655 Class 5 要求
EMC摸底测试 、EMC技术整改、EMC整改器件、EMC设计仿真
一般经营项目是：电子产品及电子元器件的研发，设计，销售及技术方案设计，技术转让，技术咨询；电子产品的检测，检验，认证服务；五金产品，塑料制品，新能源产品，机械设备的研发设计及销售；计算机软硬件、系统软件、应用软件的研发和销售；软件技术咨询服务；企业管理咨询服务；国内贸易；货物及技术进出口。，许可经营项目是：
深圳市南柯电子科技有限公司成立于2020年，是一家从事EMC设计，测试，整改，培训，及EMC器件研发，生产，销售为一体的全方位电磁兼容（EMC）解决方案服务商，总部位于深圳宝安。 由南柯电子投...
