NTMFS4935NT1G 安森美
- 供应商
- 深圳市明烽威电子有限公司
- 认证
- 报价
- ￥1.00元每pcs
- 品牌
- ON
- 型号
- NTMFS4935NT1G
- 批号
- 15+
- 联系电话
- 0755-82716535
- 手机号
- 18188631174
- 销售经理
- 连俊良
- 所在地
- 深圳市福田区中航路都会100大厦B座14Q室
- 更新时间
- 2021-11-17 22:08
ntmfs4935nt1g标准包装 1,500包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族fet - 单系列-其它名称ntmfs4935nt1g-ndntmfs4935nt1gostr
规格
fet 类型mosfet n 通道，金属氧化物fet 功能标准漏源极电压（vdss）30v电流 - 连续漏极（id）（25°c时）13a（ta），93a（tc）不同 id，vgs 时的 rds on（大值）3.2 毫欧 @ 30a，10v不同 id 时的vgs（th）（大值）2.2v @ 250µa不同 vgs 时的栅极电荷（qg）49.4nc @ 10v不同 vds时的输入电容（ciss）4850pf @ 15v功率 - 大值930mw工作温度-55°c ~150°c（tj）安装类型表面贴装封装/外壳8-powertdfn，5 引线
器件封装5-dfn，8-so 扁引线（5x6）
ntmfs4935nt1g 标准包装 1,500包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族fet -单系列-其它名称ntmfs4935nt1g-nd ntmfs4935nt1gostr
规格
fet 类型mosfet n 通道，金属氧化物fet 功能标准漏源极电压（vdss）30v电流 - 连续漏极（id）（25°c时）13a（ta），93a（tc）不同 id，vgs 时的 rds on（大值）3.2 毫欧 @ 30a，10v不同 id 时的vgs（th）（大值）2.2v @ 250µa不同 vgs 时的栅极电荷（qg）49.4nc @ 10v不同 vds时的输入电容（ciss）4850pf @ 15v功率 - 大值930mw工作温度-55°c ~150°c（tj）安装类型表面贴装封装/外壳8-powertdfn，5 引线
器件封装5-dfn，8-so 扁引线（5x6）
ntmfs4935nt1g 标准包装 1,500包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族fet -单系列-其它名称ntmfs4935nt1g-nd ntmfs4935nt1gostr
规格
fet 类型mosfet n 通道，金属氧化物fet 功能标准漏源极电压（vdss）30v电流 - 连续漏极（id）（25°c时）13a（ta），93a（tc）不同 id，vgs 时的 rds on（大值）3.2 毫欧 @ 30a，10v不同 id 时的vgs（th）（大值）2.2v @ 250µa不同 vgs 时的栅极电荷（qg）49.4nc @ 10v不同 vds时的输入电容（ciss）4850pf @ 15v功率 - 大值930mw工作温度-55°c ~150°c（tj）安装类型表面贴装封装/外壳8-powertdfn，5 引线
器件封装5-dfn，8-so 扁引线（5x6）
ntmfs4935nt1g 标准包装 1,500包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族fet -单系列-其它名称ntmfs4935nt1g-nd ntmfs4935nt1gostr
规格
fet 类型mosfet n 通道，金属氧化物fet 功能标准漏源极电压（vdss）30v电流 - 连续漏极（id）（25°c时）13a（ta），93a（tc）不同 id，vgs 时的 rds on（大值）3.2 毫欧 @ 30a，10v不同 id 时的vgs（th）（大值）2.2v @ 250µa不同 vgs 时的栅极电荷（qg）49.4nc @ 10v不同 vds时的输入电容（ciss）4850pf @ 15v功率 - 大值930mw工作温度-55°c ~150°c（tj）安装类型表面贴装封装/外壳8-powertdfn，5 引线
器件封装5-dfn，8-so 扁引线（5x6）
展开全文