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基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。NPN型三极管在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。












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在我们电工从业者工作中，为了完成电气控制线路当中延时、定时功能任务，我们均会使用时间继电器这种电控器件。时间继电器在电控线路图中的标识符为KT，按延时动作过程不同，分为通电延时型和断电延时型两大类。早前电控系统中所用之时间继电器多为空气阻尼式，这种时间继电器根据吸合线圈安装的位置不同，可以分别胜任断电延时和通电延时两种任务，但由于该种时间继电器体积太大、延时精度低、使用寿命短等缺点已被大量淘汰。随着电子技术以及软件技术的发展，目前的时间继电器绝大多数为数字电路或单片机形式。