满足半导体集成电路，电力电子器件，光电子等行业用于在硅片上淀积si o2、si3n4、poly-si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜工艺。
cvd系统性能特点：
u结构形式：1—4管卧式热壁型
u硅片规格：2—8英寸硅片(或125×125mm、156×156mm方片)
u温度范围：300～1100℃
u恒温区长度及精度：200mm—1000mm(±1℃／24h)
u淀积薄膜均匀性： 片内±5％ 片间±5％ 批间±5％
u沉积膜厚度：600～15000a
u系统极限真空度：优于1pa
u工作压力范围：20～133pa闭环控制
u控制方式：工业微机
u送料装置：悬臂推拉舟、软着陆系统
u淀积薄膜分类：si3n4、si02、psg、pply-si膜
u真空泵：罗茨泵、机械泵
u工艺气路：5路气／管。vcr接口
u40kfiz脉宽调制ae高频电源
u装片量：200片／舟
