碳化硅晶片SiC 大禁带宽度 高临界场强 2.3.4.6英寸

碳化硅晶片SiC

芜湖恒枢科技供应2,3,4,6英寸，切割小块的SiC碳化硅晶片。

碳化硅（SiC）是一种性能优越的新型化合物半导体材料。

碳化硅半导体具有大禁带宽度（约为硅的3倍）、高临界场强（约为硅的10倍）、

高热导率（约为硅的3倍）等优良特性，是制作高温、高频和大功率电力电子器件（电力芯片）的理想半导体材料。

同时，也是仅次于钻石的优良的半导体材料。

目前我们还提供标准的2英寸、3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片，用于肖特基二极管（SBD）、

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、结型场效应晶体管（JFET）和双极结型晶体管（BJT）的制作。

这些电力电子器件可广泛应用于包括太阳能逆变器、风力发电、混合动力及电动汽车等绿色能源和节能系统。