多晶炉，多晶生长炉，砷化镓多晶合成炉，化合物晶体生长炉，VB长晶炉

一、设备概况
1.1设备用途：晶体材料生长设备。
1.2 vgf、hb 、hgf 、vb产品特点：
1.2.1用于gaas等化合物晶体的生长；
1.2.2按结构形式:垂直生长,水平生长；
1.2.3按生长方式:梯度生长及移动生长；
1.3晶体生长尺寸：2-6寸
1.4设备分类:hb 、hgf 、vgf、vb

二、主要技术参数

提供专用的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的晶体薄膜生长制成专用设备,以满足化合物半导体器件的生产、研发工艺。

三、售后服务及培训

3.1技术培训

设备试生产运行前，卖方负责培训买方相关操作和维修人员，内容包括设备操作维护、故障的分析和处理。

3.2售后服务

质保期内设备如发生故障，在得到买方通知后 4 个小时给答复，24 小时内卖方派有经验的工程师到现场进行维修。

卖方对设备提供终生的免费技术支持，随时处理、解答买方提出的技术问题。

质保期内每年派出 1～2 名相关技术人员到厂作指导及进行相应维护。

技术培训和售后服务期间卖方人员的费用由卖方承担。

四、设备验收

4.1设备交货期见商务合同

4.2交货方式

设备在买方的施工现场安装调试完毕、连续试生产正常运行 30 日后，验收合格整体交货。

设备到货开箱前卖方应提前3天通知买方，由买方、卖方和监理共同进行设备的初验。

卖方在设备包装发货前10天通知买方到卖方制造现场验收，经买方验收人员验收合格签字后确定发货时间;设备验收时须提供相关验收资料，但不作为设备的结束验收。