STD5NM50——源于ST意法半导体原厂原装

st原厂原装，假一罚千。优势货源，优势价格，只等你来！欢迎询价了解！

vds漏源极电压（vgs=0）500v

vdgr排水栅电压（rgs=20kω）500v

vgs栅-源电压±30v

id消耗电流（连续）在tc=25 ° c7.5a

id消耗电流（连续），tc=100 ° c4.7a

idm(l)消耗电流（脉冲）30a

提取总耗散在tc=25 ° c100w

降额因子0.8° c/

dv/dt(1)峰值二极管恢复电压斜坡15v/ns

tstg存储温度-55到150°c

tjmax。经营交界处的温度

mdmeshtm是一新的革命mosfet技术，将与该公司的powermeshtm水平布局关联的多个排水的过程。产生的产品具有杰出低导通电阻、赫然高dv/dt和雪崩特征。采用本公司专有的地带技术收益率整体动态性能明显优于同类竞争产品。

STD5NM50

展开全文

我们其他产品