mos管fet栅源保护:
1)避免 栅极 di/dt 过高
因为选用驱动集成ic,其输出阻抗较低,直推功率管会造成推动的功率管迅速的开启和断连,mos公司,有可能导致功率管漏源极间的工作电压波动,或是有可能导致功率管遭到过高的di/dt 而造成误通。为预防以上问题的产生,一般在 mos 控制器的导出与 mos管的栅极中间串连一个电阻器,电阻器的尺寸一般选择几十欧母。
2)避免 栅源极间过压
因为栅极与源极的特性阻抗很高,mos,漏极与源极间的工作电压基因突变会根据极间电容藕合到栅极而造成非常高的栅源顶i峰工作电压,此工作电压会使非常薄的栅源空气氧化层穿透,与此同时栅极非常容易累积正电荷也会使栅源空气氧化层穿透,因此,要在mos 管栅极串联稳压极管以限定栅极工作电压在稳压极管值下,保护 mos 管不被穿透。
3)安全防护漏源极中间过压
尽管漏源击穿电压 vds一般都非常大,但假如漏源极不用保护电路,mos价格,一样有可能由于器件电源开关一瞬间电流量的基因突变而造成漏极顶i峰工作电压,从而毁坏mos 管,功率管电源开关速率越快,造成的过压也就越高。为了更好地避免器件毁坏,一般选用齐纳二极管钳位和 rc缓存电路等保护对策。
在开关电源应用方面,这种应用需要mos管定期导通和关断。比如,dc-dc电源中常用的基本降i压转换器依赖两个mos管来执行开关功能,这些开关交替在电感里存储能量,然后把能量释放给负载。我们常选择数百khz乃至1mhz以上的频率,因为频率越高,磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间,mos万芯半导体,mos管只相当于一个导体。因此,我们电路或者电源设计人员关心的是mos的传导损耗。
mos管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。且场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。
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