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一场快闪存储器 高中， SanDisk 公司的技术长 Yoram Cedar 指出，下一代微影 技术的，将 NAND快闪存储器的成长趋缓。市场原先对快闪存储器的展望都相当乐观，但 Cedar 表示，由于超紫外光 （EUV）微影技术的，快闪存储器的成长可能需要再评估。同时，他表示：“现有的浸入式微影工具将能能让快闪存储器业者前进到小于10nm左右的几何尺寸，他表示。此外，供应商们也正在努力使用现有晶圆厂工具来建构3D堆栈NAND串，以进一步产能和供给量。而在未来，包括SanDisk在内的芯片制造商都在新的3D架构，运用阻抗的变化来建构更高密度的芯片。但是，这种所谓的电阻式RAM（resistive RAM）将需要 EUV 工具。”Cedar拒绝透露任何有关EUV或当前3D芯片研究的具体时间表。不过，他表示，芯片制造商预计将推出采用浸入式工具的64和128Gb快闪存储器元件。“从可用性和成本角度来看，半导体产业中，许多人都非常关注 EUV的发展，但这项技术将耗资数百万美元，”Cedar表示。据报导，今年一月起便有一些预生产的 EUV工具开始出货。而一些报告也指出，EUV工具成本可能高达1.2亿美元。但Cedar很乐观：EUV终将成为大家都可负担得起的方案。他还指出，业界一直恐惧摩尔定律即将终结，但迄今这仍然没有根据。“当处于90nm时，我们认为要前进到56nm非常困难，且这场制程竞赛很可能，”他说。但好消息是快闪存储器的需求一直很强劲。2015年以前，快闪存储器的预估复合成长率达25%,几乎是硬盘储存的一倍，更远高于目前成长率仅1%的DRAM,他说。截至2015年，大约三分之一的NAND位元量将应用在多达11部的智慧手机中，Cedar表示。而平板计算机（Tablets）在2015年估计可达3.27亿部，预估将消耗另外15%的NAND位元量。“平板计算机代表了一个从零开始，快速成长到规模相当庞大的市场，”他说。“市场上有更多创新产品不断问世，甚至在3~4年都无法到它们会如此蓬展，未来这些产品也将维持其发展态势，”他补充道。他预计固态硬盘将消耗25%的NAND位元量，其中用户设备为1.33亿部，约1,200万部。其余的NAND方面约有26%会用在MP3播放器、U快闪6碟和数位相机中，他表示。研究人员同时在采用现有浸入式微影（左），以及超紫外光技术的3D快闪存储器架构

 

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