半导体集成电路可靠性测试

jesd22-a106b.01-2016温度冲击

进行此温度冲击测试，是为了确定半导体元器件，对于突然暴露在极端高低温条件下的抵抗力及影响，此试验其温变率过快并非模拟真正实际使用情况，其目的是施加较严苛的应力于半导体元器件上，加速其脆弱点的破坏，找出可能的潜在性损害。
推荐设备：冷热冲击试验箱

jesd22-a110e-2015有偏压的hast高度加速寿命试验

依据jesd22-a110规范，thb和bhast都是进行元器件高温高湿的试验，而且试验过程需要施加偏压，目的是加速元器件腐蚀，而bhast与thb的差别在于可以有效的缩短原本进行thb试验所需的试验时间
推荐设备：高度加速寿命试验箱

jesd22a113i塑料表面贴装器件的可靠性测试之前的预处理

针对非密闭smd零件，在电路板组装过程，因为本身会因为封装水气导致smd出现损坏，预处理可以模拟在组装过程可能出现的可靠度问题，透过此规范的测试条件找出smd与pcb在回流銲组装的潜在瑕疵。
推荐设备：高低温试验箱、冷热冲击试验箱

jesd22-a118b-2015无偏压高速加速寿命试验

评估非气密性封装元件在无偏压条件下抗潮湿能力，确认其耐湿性、坚固性与加速腐蚀及加老化，可以做为类似jesd22-a101测试但是测试温度更高，此试验为采用非结露温度与湿度条件，进行高度加速寿命试验，本试验须能控制压力锅体内的升降温速度与降温时的湿度
推荐设备：高度加速寿命试验箱

jesd22-a119a-2015低温存储寿命试验

在不加任何偏压情况下，借由模拟低温环境评定产品于长时间承受与对抗低温的能力，此试验过程不施加偏压，试验结束后回到常温才能够进行电性测试
推荐设备：高低温试验箱

jesd22-a122a-2016功率循环测试

提供固态元件封装功率循环测试标准与方法，透过偏压的开关週期会造成封装体内温度分布不均匀(pcb、连接器、散热器)，还有模拟待机睡眠模式与全载运转，并作为固态元件封装的相关连结的生命週期测试，此试验可补充与增加jesd22-a104或jesd22-a105的测试结果，此试验无法模拟严苛的环境如：引擎室或飞机与太空梭。
推荐设备：冷热冲击试验箱

jesd94b-2015特定应用资格使用基于知识的测试方法

使用相关可靠度测试手法针对设备进行测试，提供了可以扩展的方法到其他故障机制和测试环境，并使用相关寿命模型推估寿命
推荐设备：高低温试验箱、冷热冲击试验箱、高度加速寿命试验箱