磁电式一体化振动位移变送器XH-VSG-2I 当天发货

磁电式一体化振动位移变送器xh-vsg-2i将振动速度传感器、精密测量电路集成在一起，构成高精度振动测量系统，实现了传统的“传感器+监测仪表模式的振动测量系统的功能，该变送器可直接连接dcs、plc或其它设备，是风机、电动机、水泵等工厂设备振动测量的理想选择。
 
技术参数
供电电源：24vdc±10%
输入信号：取自内置振动速度传感器的信号
灵 敏 度：20mv/mm/s±5%
频率响应：10 ～1000 hz或者5～1000hz（特殊说明）
量   程：0-20mm/s(真有效值）
           0-200um(峰-峰值）
测量误差：±1%满量程
输出电流：4～20ma
输出阻抗：≤500Ω
温度范围：运行时：-25℃～+65℃
储存时：-40℃～85℃
相对湿度：至95%，不冷凝
外形尺寸：φ33×75mm
重    量：约340g
订货代号
xj-9200a□□（可选）-□□(v/d)- a□□-b□□-c□□
选型说明
可选：防水接头□：f-防水接头
凯装出线□：b-凯装管
必选：选型说明
量程范围□□：
振动速度量   10v-0～10mm/s；20v*-0～20mm/s；  30v-0～30mm/s；……
振动位移量  100d-0～100μm；100d-0～200μm；  300d-0～300μm；……
安装方向a□：
1-水平；2-垂直；3*-通用
安装螺纹b□：
1*-m10×1.5；2-m8×1.25；3-磁座；4-特殊定做
电缆长度c□：
1-1m；2*-2m；3-3m；……
无特殊情况，厂家按项生产；如有特殊要求，请与我公司协商
选型举例：xj-9200a-20v-a3-b1-c2
磁电式一体化振动位移变送器xh-vsg-2i

ieee 1451.4混合模式接口(mmi)智能变送器数字驱动电路

            　　引言

           　　初并没有适用于混合模式变送器和网络应用处理器(ncap)的数字通信接口标准。每家变送器制造商都定义有自己的接口。所以，一家变送器厂商的产品不可能支持所有控制网络。为解决这一问题，ieee仪器和测量协会的传感器技术委员会发起一项倡议，为传感器、执行器、混合模式通信协议和传感器电子数据表(teds)格式创建智能变送器接口标准。这项倡议促成了ieee，已被纳入美国标准(ansi)。

            　　该标准的主要目标包括：

           　　实现传感器的即插即用，通过公共传感器通信接口实现。

            　　支持并简化智能变送器的创建。

            　　简化测量仪器系统的设置和维护。

           　　以少的存储器容量实现智能变送器的部署。

            　　标准阐述了以下内容：

           　　变送器，包括混合模式接口(mmi)和变送器电子数据表(teds)。

            　　mmi，用于存取teds。

           　　teds，驻留于变送器内部的存储芯片。

            　　说明teds数据结构的模板。

            　　模板描述语言(tdl)。

           　　称为变送器模块的软件对象，通过tdl访问teds，并对其进行解码和编码。

            　　满足ieee1451.4标准的变送器可通过teds提供自身说明。本应用笔记讨论了用于访问teds的ncap(数据采集系统)数字驱动器电路。

            　　ieee1451.4混合模式接口(mmi)

            　　ieee 1451.4mmi用于连接变送器和ncap或数据采集系统(das)之间的模拟信号和teds。ieee1451.4标准定义了两类mmi。class 1中，teds与模拟功能共用一根线，采用负压通信。class2提供teds独立线对通信，采用正压通信。因此，按照用笔记4206：“为嵌入式应用选择合适的1-wire主机”一文的说明，class2与maxim的1-wire驱动器(主控)相吻合。由于class1采用负压通信，需要更加复杂的驱动电路。

            　　在class1中，有三种mmi版本，分别采用2线、3线或4线与变送器或teds通信。这些接口的共性是模拟和数字功能共用一条线。共用连线可以是信号线、电源线或返回通道。

           　　图1所示为典型的2线恒流供电传感器，共用信号线。通过反转信号线的极性，二极管允许顺序访问放大器或teds存储器。当控制开关处于“analog”位置时，das的正电流源通过信号线和上方的二极管为放大器供电。变送器输出在信号线上表现为模拟电压。当控制开关处于“digital”位置时，存储器件由负逻辑电源通过下方的二极管供电。电路中给出了在teds存储器芯片端子之间的下拉电阻(rt)。该电阻用于释放存储器电路和引线电容的电荷，确保逻辑0电平满足时隙要求。