igbt模块的门极驱动
额定门极驱动电压：门极驱动电压在±20v范围内施加超过此范围的电压时，门极-发射极间的氧化膜（sio2）有可能发生绝缘破坏或导致可靠性下降。
开通-门极驱动电压：开通-门极驱动电压标准为+15v。诸如12v、10v的低门极驱动电压会造成集电极损耗增加。6v时igbt基本上不开通，此时集电极-发射极上施加电源电压。施加这样的低门极电压时，有可能由于过大的损耗导致元件损坏。
关断时门极反向偏置电压（－vge）：为避免由于噪声干扰造成的误动作，关断时请在igbt门极施加(-5v)-(-15v)的反向偏置电压。
开通门极电压、关断时门极反向偏置电压与开关速度-噪声干扰的关系：如果提高开通门极电压+vge，开通速度会上升，开通损耗会下降。相反，开通时的噪声干扰会增加。同样，如果提高关断门极电压-vge，关断速度会上升，关断损耗会下降。相反，关断时的浪涌电压及噪声干扰会增加。+vge、-vge和下一项的rg都是影响开关速度的主要因素。
门极阻抗rg和开关特性：
门极电容：输入电容：cies = cge + cgcreverse transfer 电容：cres = cgc输出电容：coes = cce + cgc
发射极门极反向偏置电压和门极-发射极之间的阻抗rge：由于高dv/dt而导致位移电流流动，并且门极电位上升。
门极反向偏置电压和旁路电阻对降低冲击电流（igbt损耗）有效
门极配线：为了避免有害的振荡，请注意以下事项。● 尽量让门极配线远离主电路配线，并避免使两者平行。● 交叉时，请以正交交叉。● 不要将多根门极配线捆扎在一起。● 追加共模扼流圈和铁氧体磁环也可达到一定的效果。
门极充电和驱动电流-功率：
门极驱动损耗pg、高门极驱动电流igp的计算范例（+vge=15v、-vge=－15v、f=10khz）pg=｛（+vge）-（-vge)｝×qg×f＝30×690×10-9×104＝0.207(w)假设在500ns时开通 ;igp = qg / ton＝690×10-9 / 500×10-9＝1.4 (a)
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