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晶体管被认为是现代历史中伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等的发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。5月4日，英特尔宣布已出可投入大规模生产的三维结构晶体管，再一次实现了晶体管的重大。下面介绍下晶体管的里程碑： 1、1947年12月16日：williamshockley、john bardeen和walterbrattain在贝尔实验室成功出晶体管。 2、1950年：william shockley出双极结型晶体管，就是现在通行的晶体管。3、1961年4月25日：罗伯特·诺伊斯集成电路专利。初的晶体管对于收音机和电话而言已经足够了，但是更新的电子设备要求规格更小的晶体管——集成电路。4、1965年：摩尔定律诞生——戈登·摩尔在《电子》发表的文章中：未来芯片上晶体管的数量大约每年翻一倍（10年后，修正为每两年翻一倍）。三年后，摩尔和诺伊斯创建了英特尔公司，英文名intel即“集成电子（integratedelectronics）”的缩写。5、1969年：英特尔出成功的pmos硅栅极晶体管技术。这些晶体管继续使用的二氧化硅（sio2）栅介质，但是引入了新的多晶硅栅电极。6、1971年：英特尔推出微处理器——4004。4004的规格为1/8英寸×1/16英寸，包含2250个晶体管，采用英特尔10微米pmos技术在2英寸晶圆上生产。7、1985年：英特尔386微处理器问世，含有275,000个晶体管，是初4004晶体管数量的100多倍。386是32位芯片，具备多任务处理能力，可同时运行多个程序。初是使用1.5微米cmos技术制造的。8、2002年8月13日：英特尔发布了90纳米制程技术的若干技术突破，包括高性能、低功耗晶体管，应变硅，高速铜质接头和新型低-k介质材料。这是业内在生产工艺中采用应变硅。9、2007年9月：英特尔公布采用突破性的晶体管材料——高-k金属栅极。英特尔将采用这些材料在公司下一代处理器——英特尔 酷睿2双核、英特尔酷睿2四核处理器以及英特尔至强系列多核处理器的数以亿计的45纳米晶体管中用来构建绝缘“墙”和开关“门”，研发代号为penryn。10、2011年5月3日——英特尔宣布将批量生产一种全新的晶体管设计。三栅极晶体管将在各种计算设备中（从到台式机，从电脑到手持式设备）实现前所未有的高性能和能效。

 

 

 

 

 

 

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