场效应管 mosfet n 55vd2-pak晶体管极性: p沟道电流, id 连续: 74a漏源电压, vds: 55v在电阻rds（上）: 20mohm电压 @ rds测量: -10v阈值电压 vgs: 4v功耗 pd: 200w晶体管封装类型: to-262针脚数: 3工作温度高值: 175°cmsl: -svhc(高度关注物质): no svhc (16-dec-2013)封装类型, 其它: to-262ab工作温度小值: -55°c工作温度范围: -55°c 至 +175°c漏极电流, id 大值: -74a电压 vgs @ rds on 测量:10v电压, vds: 55v电压, vds 典型值: 55v电压, vgs 高: -4v电流, idm 脉冲: 260a表面安装器件: smd阈值电压, vgs th 低: 2v阈值电压, vgs th 高: 4v