EB200 系列电子束光刻胶EB200-040

类型光刻胶型号适用光谱厚度um分辨率适用工艺az系列az5214,az4620,az6130等g/h/i-line1-30um1um可用于深硅刻蚀su-8系列su-8 10系列，20系列等g/h/i-line0.1-400um0.5um适合于高深宽比工艺，透明度高，垂直度好piltc9000系列g/h/i-line4-50um4um用于非铜衬底工艺，固化温度低可以达到250c°电子束胶hs/16电子束100nm350nm-810nm分辨率好的光刻胶，抗刻蚀

eb200 系列正性电子束光刻胶主要应用于射频芯片、光电子芯片、掩膜制作等领域，

用于亚微米光刻工艺中图形掩膜层制作，eb200 系列产品具有高分辨率、高感度、抗刻蚀等

优点，产品技术、原材料已实现自主可控。eb200 series positive e-beam resist is usedin

sub-micron lithography process for rf chip, optoelectronic chip,mask layer production etc., eb200 series products have highresolution，sensitivity and dry etch resistance. 产品性能

 膜厚范围:30-500nm；

 高分辨率（20nm）；

 高感度~60μc/cm2 (dose to clear)；

 良好的工艺宽容度；

 耐刻蚀性能；

 安全溶剂;

features

 the thickness range：30-500nm;

 high resolution (20nm);

 high sensitivity ~60μc/cm2；

 good process margin latitude;

 good dry etch resistance ;

 safety solvent;

产品型号及参数 product range & parameter

spin curve pattern profiles

sensitivity curve dry etch resistance

product name eb200-040 eb200-030 eb200-020 eb200-012

film thickness 650-350nm 500-250nm 300-200nm 200-30nm

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