单晶硅片 其他

生长方法：直拉cz 
型号/掺杂剂：p型/硼n型/磷、砷、锑
晶向：<100> / <111>
电阻率(ω.cm)：0.001-50
径向电阻率变化：(%) p< 6  n型<25
氧含量与公差：  5.0-7.8 × ± 0.5
径向氧含量变化(%)：<5
碳含量(at )：≤2.0×
金属铁含量(at)：≤ 1.0×
表面金属(at)：铜/铬/铁/镍≤5.0×  铝/锌/钾/钠/钙≤2.0×
厚度(微米)：按semi标准或用户要求
厚度公差(微米)：±15或用户要求
总厚度变化ttv(微米)：<2.5
平整度tir (微米)：<1.2
局部平整度：stirmax (微米) <0.3
翘曲度(微米)：<30
颗粒(# per wafer)：< 30(for size > 0.2微米) 

本产品的 种类为 其他， 加工定制是 是，